公开(公告)号：CN118302839A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280039520.6

申请日：2022-05-25

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 亚历克西斯·德劳因 ,  格维塔兹·戈丹 ,  S·鲁契尔 ,  W·施瓦岑贝格 ,  J·维迪兹 ,  E·罗兰

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体结构体的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由单晶碳化硅制成的施主衬底和由碳化硅制成的载体衬底，b)制备待转移的工作层，其包括：‑在施主衬底的正面上注入轻物质，以便形成损伤曲线，该损伤曲线特别能够通过卢瑟福背散射光谱法测量，该曲线具有限定掩埋的脆性平面(12)的深度缺陷的主峰和限定受损表面层(13)的缺陷的次级峰，‑通过化学蚀刻和/或通过化学‑机械抛光施主衬底的正面来去除受损表面层(13)，以便形成施主衬底的新的正面，掩埋的脆性平面与施主衬底的正面一起界定待转移的工作层，该工作层具有50nm至1400nm的厚度，c)通过分子粘附将施主衬底的正面侧与载体衬底接合，以便形成沿结合界面结合的组件；d)沿掩埋的脆性平面分离，使得工作层转移到载体衬底上，以便形成半导体结构体。

公开(公告)号：CN114424332A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080048789.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

Inventor： E·奥让德 ,  F·盖拉德 ,  T·洛恩 ,  E·罗兰 ,  C·维蒂祖 ,  I·伯特兰 ,  F·阿利伯特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于射频应用的半导体结构(10)，包括：‑由硅制成并且包括中孔层(3)的承载衬底(2)；‑设置在所述中孔层(3)上的介电层(4)；‑设置在所述介电层(4)上的表面层(5)。该结构(10)特征在于：‑所述中孔层(3)包括中空孔，所述中空孔的内壁大部分涂覆有氧化物，并且中孔层具有在3μm至40μm之间的厚度并且在其整个厚度上具有超过20千欧姆·厘米的电阻率；‑所述承载衬底(2)具有在0.5欧姆·厘米至4欧姆·厘米之间的电阻率。本发明还涉及制造半导体结构(10)的方法。