公开(公告)号：CN109076696A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026998.4

申请日：2017-02-06

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 小椋真悟 ,  末益龙夫 ,  平野裕之 ,  石井雅晃

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供伸缩性基板。伸缩性基板(10)具备具有伸缩性的基材(20)与设置在基材(20)上的配线部(41)，配线部(41)包含相互交叉的多条导体线(411)与在俯视视角中由多条导体线(411)形成的开口部(415)。

公开(公告)号：CN1826432B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200480020892.6

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平船优香 ,  末益龙夫

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C2/34 ,  C23C2/00 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/128 ,  H05K2203/1527

Abstract: 一种金属填充方法，是通过将工件插入熔融金属中而将工件浸渍于熔融金属中，其后将工件从熔融金属中取出，从而在形成于工件上的微细孔中填充金属的金属填充方法，其特征是，在将工件插入熔融金属中时，使工件下面相对于熔融金属液面形成0.5°以上的倾斜地进行，在将工件从熔融金属中取出时，使工件上面相对于熔融金属液面形成0.5°以上而小于85°的倾斜地进行。可以防止在将工件插入熔融金属中时，或将工件从熔融金属中取出时，工件破裂的问题，另外，可以防止在将工件从熔融金属中取出后，金属残留于工件表面的问题。

公开(公告)号：CN1671273B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510055503.X

申请日：2005-03-14

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H05K3/40 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/388 ,  H05K3/4038 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09572 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种具有改进的电连接的装置，包括导电的第一基板，其包括第一侧和第二侧；功能元件，其在所述第一基板的第一侧；被电连接到所述功能元件的垫；通孔互连，其被提供在从第一侧延伸通过所述第一基板到第二侧的孔中，所述通孔互连包括：第一导电材料，其被电连接到所述垫，以及导电区，其被沿着所述第一导电材料与所述第一基板之间的孔的内表面提供，包括不同于第一导电材料的第二导电材料；以及绝缘的第二基板，其被接合到所述第一基板的所述第一侧的一部分，其中，第一导电材料为金锡合金、锡铅合金、金属锡、金属铟、锡基焊料、铅基焊料、金基焊料、铟基焊料或铝基焊料，并且其中，导电区为溅射层、镀层或化学气相沉积层。

公开(公告)号：CN1839473A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480024004.8

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  奥林巴斯株式会社

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫 ,  平船优香 ,  矶川俊彦 ,  盐谷浩一 ,  松本一哉

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体封装体具有：半导体元件，其在半导体基片的一个面设有电路元件；外部布线区，其设于上述半导体基片的另一个面；支撑基片，其配置于上述半导体基片的一个面；电极焊盘，其配置于上述半导体基片的一个面；以及贯通电极，其从上述电极焊盘到达上述半导体基片的另一个面。