公开(公告)号：CN113851928A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111109431.8

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。

公开(公告)号：CN110268587B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201780071445.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  佐藤进 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183

Abstract: 本公开的实施方式的面发射激光器设置有：电流收缩区域，具有由从第二半导体层侧注入到层叠体内部的杂质形成的开口部；以及第一半导体层侧的第一DBR层和第二半导体层侧的第二DBR层，该第一DBR层和该第二DBR层在反向面对开口部的位置中夹紧层叠体。在开口部中，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。

公开(公告)号：CN110785901A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880041719.6

申请日：2018-04-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  佐藤进 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  川西秀和

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。