公开(公告)号：CN107017840B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201610926238.6

申请日：2016-10-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 林谦司

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/36 ,  H03L1/02

Abstract: 本发明提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1栅极与第2栅极被电连接。

公开(公告)号：CN107017840A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610926238.6

申请日：2016-10-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 林谦司

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/36 ,  H03L1/02

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L23/34 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4238 ,  H03B5/02 ,  H03B5/364 ,  H03B2200/0034 ,  H03K19/0075 ,  H03B5/04 ,  H03L1/022

Abstract: 本发明提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1栅极与第2栅极被电连接。

公开(公告)号：CN104734659A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410791057.8

申请日：2014-12-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 林谦司 ,  福泽晃弘

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/19

CPC classification number: H03H9/08 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H03H9/0547 ,  H05B3/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供发热体、振动器件、电子设备以及移动体，能够减少电迁移引起的断线的可能性。发热用IC(20)包含：形成有扩散层(22)的半导体基板(21)；用于向扩散层(22)施加电源电压的焊盘(26a)和通孔(25a)；以及用于向扩散层(22)施加接地电压的焊盘(26b)和通孔(25b)。通孔(25a)和通孔(25b)在俯视时与形成有扩散层(22)的区域重叠，焊盘(26a)在俯视时与通孔(25a)重叠，焊盘(26b)在俯视时与通孔(25b)重叠。经由焊盘(26a)和通孔(25a)、焊盘(26b)和通孔(25b)以及扩散层(22)流过的电流在焊盘(26a)的上表面与通孔(25a)的下表面之间、以及通孔(25b)的下表面与焊盘(26b)的上表面之间流过。