复合传感器、电子设备
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101806812A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010117435.6

    申请日:2010-02-20

    Inventor: 押尾政宏

    Abstract: 本发明提供一种能够发挥各传感器元件的特性且抑制长期的特性变动的小型的复合传感器及电子设备。所述复合传感器在封装件(30)形成有压力高的空间(90)与压力低的空间(80),在压力高的空间(90)配置有加速度传感元件(40),因此,获得低的Q值,在压力低的空间(80)配置有振动型角速度传感器元件(50)、(60),因此,获得高的Q值,从而能够充分发挥加速度传感元件(40)及振动型角速度传感器元件(50)、(60)的特性。

    物理量传感器、电子设备及移动体

    公开(公告)号:CN104075737A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410116312.9

    申请日:2014-03-26

    CPC classification number: G01P3/14 G01C19/5776 G01P15/08 G01P15/097

    Abstract: 本发明提供一种通过使传感器元件的过驱动能够实施从而可缩短老化试验的时间的物理量传感器、以及使用了该物理量传感器的电子设备及移动体。物理量传感器(1)包括:传感器元件(20),其对预定的物理量进行检测;驱动电路(111),其生成传感器元件(20)的驱动信号;AGC电路(112),其基于传感器元件(20)的输出信号,而将驱动信号控制为与基准电压相对应的恒定电平,该基准电压是可变的。

    表面声波器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100477516C

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200410058248.X

    申请日:2004-08-20

    Inventor: 押尾政宏

    CPC classification number: H03H9/02551 H03H9/02834 H03H9/25

    Abstract: 本发明提供一种可实现高频率化且能发挥优良温度特性的新型表面声波器件及其制造方法。该表面声波器件是利用高速SH型表面波的器件,其在欧拉角由(0°,θ(其中,θ为125°~142°),90°)表示的石英基板上形成IDT电极时,调整该IDT电极的膜厚,使该石英基板在规定温度时的频率温度系数TCF为负数,之后,用在该规定温度时具有正的频率温度系数的薄膜覆盖在该IDT电极上。这样,由于可使器件整体的频率温度系数TCF为零,并且可改善二次温度系数β,因而可提供容易实现高频率化且具有优良温度特性的表面声波器件。

    振动片、振子、物理量传感器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102121826B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201010590043.1

    申请日:2010-12-15

    Inventor: 押尾政宏

    CPC classification number: G01C19/5642

    Abstract: 振动片、振子、物理量传感器以及电子设备。本发明的目的是提供一种具有进行扭转振动的振动片的高精度的物理量传感器。作为解决手段,振动片具有:第1驱动梁及第2驱动梁,其以扭转振动模式振动,且相互并列地在X轴方向上延伸;支撑部,其结合第1驱动梁及第2驱动梁的一端彼此及另一端彼此;以及第1检测臂及第2检测臂,其在相对于X轴方向垂直的Y轴方向上,分别从第1驱动梁及第2驱动梁延伸,在驱动模式中,第1驱动梁及第2驱动梁在相反的方向上扭转振动,第1检测臂及第2检测臂在Z轴方向上振动,并且,第1检测臂及第2检测臂在相同的方向上振动,在检测模式中,在绕Y轴方向施加了角速度时,第1检测臂及第2检测臂在X轴方向上振动。

    表面声波器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1585266A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN200410058248.X

    申请日:2004-08-20

    Inventor: 押尾政宏

    CPC classification number: H03H9/02551 H03H9/02834 H03H9/25

    Abstract: 本发明提供一种可实现高频率化且能发挥优良温度特性的新型表面声波器件及其制造方法。该表面声波器件是利用高速SH型表面波的器件,其在欧拉角由(0°,θ(其中,θ为125°~142°),90°)表示的石英基板上形成IDT电极时,调整该IDT电极的膜厚,使该石英基板在规定温度时的频率温度系数TCF为负数,之后,用在该规定温度时具有正的频率温度系数的薄膜覆盖在该IDT电极上。这样,由于可使器件整体的频率温度系数TCF为零,并且可改善二次温度系数β,因而可提供容易实现高频率化且具有优良温度特性的表面声波器件。

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