-
公开(公告)号：CN101830426A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010134017.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/082
Abstract: 本发明提供能有效增大可动锤部的质量、高精度地检测物理量、且利用使用了多层布线的CMOS工序能自如且容易地制造的微机电传感器(例如静电电容型加速度传感器)。该微机电传感器(100A)具有经弹性变形部(130)连接于固定框部(110)的、在周围形成有空腔部(111、112)的可动锤部(120)，可动锤部(120)具有层叠结构体，该层叠结构体包括多个导电层(121A至121D)、配置在多个导电层之间的多个层间绝缘层(122A至122C)和填充于贯通形成在多个层间绝缘层的各层的预定的埋入槽图形的比重大于层间绝缘层的栓塞(123A至123C)，形成于各层的栓塞包括沿着一个或多个较长方向形成为壁状的壁部。
-
公开(公告)号：CN102602876B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210097932.3
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/0086
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
-
公开(公告)号：CN101917175B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010245785.0
申请日：2006-11-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2457 , H03H3/0072 , H03H9/02433 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明的课题是通过防止MEMS结构体部分的侧壁状的蚀刻残留物来提供可靠性高的MEMS振子及其制造方法。作为解决手段，本发明的MEMS振子包括：基板(10)；固定电极(12)，其形成于基板(10)上；以及可动电极(14)，其与固定电极(12)对置配置，通过作用于该可动电极(14)与固定电极(12)之间的缝隙(28)上的静电引力或静电斥力进行驱动，可动电极(14)在与固定电极(12)对置的可动电极(14)的支撑梁(24)的内侧面具有倾斜面(40)。
-
公开(公告)号：CN102173375A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110090840.8
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板；形成于所述基板上的功能元件；保护环，其包围所述功能元件，且与所述功能元件相离；第1覆盖层，其形成于所述保护环和所述功能元件的上方，与所述功能元件相离，且包括至少一个孔；以及形成于所述第1覆盖层上的第2覆盖层。
-
公开(公告)号：CN102173374A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110090904.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101168434A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710181944.3
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
-
公开(公告)号：CN101164863A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710162734.X
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
-
公开(公告)号：CN102173375B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110090840.8
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板；形成于所述基板上的功能元件；包围壁，其包围所述功能元件，且与所述功能元件相离；第1覆盖层，其形成于所述包围壁和所述功能元件的上方，与所述功能元件相离，且包括至少一个孔；以及形成于所述第1覆盖层上的第2覆盖层。
-
公开(公告)号：CN102198924B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110090788.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板；形成于所述基板上的功能元件；包围壁，其包围所述功能元件，且与所述功能元件相离；第1覆盖层，其形成于所述包围壁和所述功能元件的上方，与所述功能元件相离，且包括多个孔；保护膜，其形成于所述第1覆盖层的上方，且具有位于所述多个孔的上方的第1开口部；以及第2覆盖层，其形成于所述保护膜的所述第1开口部中且所述保护膜的上方。
-
公开(公告)号：CN102173374B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110090904.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.039 seconds)
