公开(公告)号：CN103904024B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310516715.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 文俊怜 ,  赵娟振 ,  李圣宰 ,  朴惟廷 ,  尹龙云 ,  李哲虎 ,  李忠宪

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。

公开(公告)号：CN105026389A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201380073499.2

申请日：2013-05-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹龙云 ,  李圣宰 ,  文俊怜 ,  朴惟廷 ,  李哲虎 ,  赵娟振

IPC: C07D407/10 ,  G03F7/004 ,  C08G59/22

CPC classification number: G03F7/11 ,  C07D303/14 ,  C07D303/32 ,  C09D5/00 ,  C09D7/63 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/34 ,  C07D407/10 ,  C08G59/22 ,  G03F7/004

Abstract: 揭示一种以下列化学式1表示的用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述硬遮罩组成物形成图案的方法。

公开(公告)号：CN104718497A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380053489.2

申请日：2013-09-02

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李哲虎 ,  朴惟廷 ,  尹龙云 ,  李圣宰 ,  赵娟振 ,  金永珉 ,  李忠宪

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/094

Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。

公开(公告)号：CN103904024A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310516715.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 文俊怜 ,  赵娟振 ,  李圣宰 ,  朴惟廷 ,  尹龙云 ,  李哲虎 ,  李忠宪

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。

公开(公告)号：CN103896736A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310300799.1

申请日：2013-07-17

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李圣宰 ,  田桓承 ,  赵娟振 ,  李哲虎 ,  李忠宪

IPC: C07C33/26 ,  C07C43/23 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07C33/26 ,  C07C43/23 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/40 ,  G03F7/0035

Abstract: 本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与具体实施方式中相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN102070746A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010299478.0

申请日：2010-09-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹祥根 ,  崔相俊 ,  崔承集 ,  李圣宰

IPC: C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  C08F220/38 ,  C08F220/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明披露了一种用于抗蚀剂保护层的聚合物、包括该聚合物的抗蚀剂保护层组合物、以及形成图案的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的第一重复单元以及第二重复单元，该第二重复单元包括由以下化学式2至6表示的至少一种重复单元。[化学式1]、[化学式2]、[化学式3][化学式4]、[化学式5]、[化学式6]在化学式1至6中，每种取代基与在具体实施方式中限定的相同。