公开(公告)号：CN104253024A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410063061.2

申请日：2014-02-24

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  金润俊 ,  金古恩 ,  金永珉 ,  金惠廷 ,  文俊怜 ,  朴曜徹 ,  朴裕信 ,  朴惟廷 ,  宋炫知 ,  辛乘旭 ,  尹龙云 ,  李忠宪 ,  洪承希

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C08G61/02

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40 ,  G03F7/092 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/314 ,  G03F7/00 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]

公开(公告)号：CN103904024A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310516715.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 文俊怜 ,  赵娟振 ,  李圣宰 ,  朴惟廷 ,  尹龙云 ,  李哲虎 ,  李忠宪

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。