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公开(公告)号:CN105308730A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201480034106.1
申请日:2014-08-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J11/06 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81091 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83986 , H01L2224/9211 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制空隙的半导体用粘接剂。本发明的半导体用粘接剂用于具有下述工序的半导体装置的制造方法:工序1,将半导体芯片介由半导体用粘接剂而对位于基板上,该半导体芯片在周缘部、及与该周缘部相比的内侧的半导体芯片面内形成有突起电极,该突起电极具有包含焊料的前端部;工序2,将所述半导体芯片加热至焊料熔点以上的温度而使所述半导体芯片的突起电极与所述基板的电极部熔融接合,并使所述半导体用粘接剂临时粘接;工序3,在加压气氛下加热所述半导体用粘接剂而去除空隙;其中,所述半导体用粘接剂在80~200℃的最低熔融粘度为1000Pa·s以下,通过小泽法求出在260℃下达到反应率40%所需的时间为8秒以上。
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公开(公告)号:CN103098192B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280002481.9
申请日:2012-03-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J185/00 , C09J201/00 , C09J201/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/26 , C08K9/04 , C08K9/06 , C09J11/04 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。本发明为一种电子零件用粘接剂,其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s),将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点),相对于100重量份的所述固化性化合物,所述固化剂的配合量为5~150重量份,所述无机填充剂的配合量为60~400重量份。
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公开(公告)号:CN103098192A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201280002481.9
申请日:2012-03-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J185/00 , C09J201/00 , C09J201/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/26 , C08K9/04 , C08K9/06 , C09J11/04 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。本发明为一种电子零件用粘接剂,其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s),将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点),相对于100重量份的所述固化性化合物,所述固化剂的配合量为5~150重量份,所述无机填充剂的配合量为60~400重量份。
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公开(公告)号:CN1599781A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN02824131.2
申请日:2002-06-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/06 , C09J7/00
Abstract: 本发明的目的是提供通过照射光可以在不损伤粘附体的条件下容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性制品以及连接结构体。本发明涉及一种粘合性物质,其中含有通过照射光可产生气体的偶氮化合物,由上述偶氮化合物产生的气体的至少一部分释放到上述粘合性物质的外部。
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公开(公告)号:CN1537151A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN02815153.4
申请日:2002-06-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J2201/128 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的,进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。
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公开(公告)号:CN116438274A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202180068048.4
申请日:2021-11-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J201/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供:能够抑制对芯片部件的残胶、并且成品率好地转印芯片部件的电子部件的制造方法;使用该电子部件的制造方法的显示装置的制造方法;以及用于该制造方法的支撑带。本发明涉及电子部件的制造方法,其具有:工序(1),在至少1个表面具有固化型粘合剂层的支撑带的上述固化型粘合剂层上配置芯片部件;工序(2),从配置了上述芯片部件的上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面照射能量射线;工序(3),从上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面施加刺激,将芯片部件从支撑带向下一构件转印,上述固化型粘合剂层含有聚合性聚合物和反应引发剂,上述固化型粘合剂层的上述能量射线照射前的365nm的波长处的紫外线吸收率为95%以上,上述能量射线照射后的365nm的波长处的紫外线吸收率为95%以上。
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公开(公告)号:CN115244670A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202180020010.X
申请日:2021-06-18
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C08G77/04 , C08G77/44 , C08L83/10 , H01L21/02 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L27/146 , B32B7/025
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高的电连接可靠性的层叠体、用于该层叠体的固化性树脂组合物、该层叠体的制造方法、用于制造该层叠体的具有接合电极的基板的制造方法、及具有该层叠体的半导体装置和摄像装置。本发明为一种层叠体,其依次含有具有电极的第1基板、有机膜和具有电极的第2基板,上述第1基板所具有的电极与上述第2基板所具有的电极经由贯通上述有机膜的贯通孔而电连接。
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公开(公告)号:CN102834907B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201180018592.4
申请日:2011-04-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/293 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01061 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29298 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料,其中,用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上,用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下,在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5~4.5倍。
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公开(公告)号:CN102834907A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180018592.4
申请日:2011-04-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/293 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01061 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29298 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料,其中,用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上,用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下,在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5~4.5倍。
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公开(公告)号:CN1886822A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200480035346.X
申请日:2004-12-02
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/68
Abstract: 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法,其中包括:在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序,所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体产生剂的粘合剂层;切割已粘贴所述切割用粘合带的晶片,分割成各个半导体芯片的切割工序;对所述被分割的各个半导体芯片照射光,将至少一部分所述切割用粘合带从半导体芯片剥离的剥离工序;和利用无针拾取法拾取所述半导体芯片的拾取工序。
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