公开(公告)号：CN105593330A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053941.X

申请日：2014-09-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性高分子MC-end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC-end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。

公开(公告)号：CN118055994A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280065941.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  中贝雄一郎 ,  织田博之

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够对研磨对象物实现优异的研磨去除速度的研磨用组合物。本发明提供一种用于研磨对象物的研磨的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含水以及作为氧化剂的高锰酸钠。在一些优选的方式中，上述研磨用组合物还包含选自阳离子与阴离子的盐中的金属盐，所述阳离子包含属于周期表的第3～16族的金属。上述研磨用组合物也可以优选地应用于由具有1500Hv以上的维氏硬度的高硬度材料所构成的研磨对象物的研磨。

公开(公告)号：CN113993968A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080044527.8

申请日：2020-06-15

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 伊藤康昭 ,  高见信一郎 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 提供可在维持良好的研磨速度的同时降低对研磨对象物的摩擦力的研磨用组合物。通过本发明提供的研磨用组合物包含水、磨粒及作为氧化剂的复合金属氧化物。上述研磨用组合物还包含阴离子性聚合物。一些优选方式中，上述研磨用组合物包含高锰酸盐作为前述复合金属氧化物。上述研磨用组合物适合用于对维氏硬度1500Hv以上的材料进行研磨的用途。

公开(公告)号：CN111040731A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911251975.0

申请日：2015-04-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆研磨用组合物，其降低硅晶圆表面的雾度的效果优异。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水。含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，磨粒的平均二次粒径为10nm以上且60nm以下。

公开(公告)号：CN105264647B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201480032514.3

申请日：2014-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  市坪大辉 ,  森嘉男

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供在磨粒存在下使用的硅晶圆研磨用组合物。该组合物包含硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物和水。并且，前述含酰胺基聚合物在主链中具有构成单元A。前述构成单元A包含：构成前述含酰胺基聚合物的主链的主链构成碳原子；以及仲酰胺基或叔酰胺基。并且，构成前述仲酰胺基或叔酰胺基的羰基碳原子直接键合于前述主链构成碳原子上。

公开(公告)号：CN105264647A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032514.3

申请日：2014-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  市坪大辉 ,  森嘉男

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供在磨粒存在下使用的硅晶圆研磨用组合物。该组合物包含硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物和水。并且，前述含酰胺基聚合物在主链中具有构成单元A。前述构成单元A包含：构成前述含酰胺基聚合物的主链的构成碳原子；以及仲酰胺基或叔酰胺基。并且，构成前述仲酰胺基或叔酰胺基的羰基碳原子直接键合于前述主链构成碳原子上。

公开(公告)号：CN118043427A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065940.1

申请日：2022-09-27

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  中贝雄一郎 ,  织田博之

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够对研磨对象物实现优异的研磨去除速度，并且提高研磨后的研磨对象表面的表面品质的研磨用组合物。所提供的研磨用组合物包含高锰酸钠作为氧化剂。上述研磨用组合物包含莫氏硬度小于8的磨粒A作为磨粒，或者不包含磨粒。上述研磨用组合物也可以优选地应用于由具有1500Hv以上的维氏硬度的高硬度材料所构成的研磨对象物的研磨。

公开(公告)号：CN107532067B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201680026870.3

申请日：2016-05-02

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 织田博之 ,  高桥修平 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  田畑诚

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。

公开(公告)号：CN105612236A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480053942.4

申请日：2014-09-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种能够减少雾度及表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性合成高分子ML-end的研磨用组合物，所述水溶性合成高分子ML-end在主链的至少一个端部具有疏水性区域。前述疏水性区域具有来自聚合引发剂的至少1个疏水性基团。