-
公开(公告)号：CN116626919A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310542750.0
申请日：2023-05-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米光学与光电集成领域，具体涉及一种逐点可调超表面器件。本发明由两层不同排布方向的栅格状电极条分别作为上、下层电极，两层电极的交错位置通过轻掺杂Si连接并形成各个像素，每一个像素区域的最上层制备亚波长相变材料结构用于光场调控，最终用SiO2将整个器件包覆。本发明通过对目标像素的上、下层电极线路施加电压，将轻掺杂Si作为加热器，电流经过轻掺杂Si产生热量并经过上层电极热传导至相变材料，实现对相变材料的电切换，通过器件内所有目标像素逐一电写入达到超表面逐点可重构的效果。本发明可用于光束的调制，光电混合集成，可应用于电驱动控制下的光学成像、光学信号处理等场景。
-
公开(公告)号：CN113192844A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110380742.1
申请日：2021-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/428 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于薄膜器件制造领域，具体涉及一种基于CO2激光退火工艺的氧化物薄膜晶化方法。本发明通过先将非晶氧化物薄膜材料结构化为多层材料，当激光入射到具有不同的吸收率和不同的热导率的薄膜层时，会产生一定的温度分布，利用CO2激光在非晶氧化物薄膜中吸收率低，而在SiO2薄膜中吸收率高的特点，使非晶氧化物薄膜材料被SiO2均匀加热，以实现对非晶氧化物薄膜的可控、均匀退火。当芯片中的非晶氧化物薄膜晶化时，远离热处理区域的芯片其余部分仍然保持在较低温度，因此可以实现氧化物薄膜材料晶化过程与现有CMOS的工艺兼容，使具有优异光电性能的多晶氧化物薄膜广泛应用于半导体光电集成芯片成为了可能。
-
公开(公告)号：CN112635670A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011528457.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L49/02 , H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储器领域，特别涉及一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用。本发明通过对氧化铪薄膜进行氧化钇掺杂，使得该多晶薄膜在特定掺杂浓度中的铁电正交相的相纯度较高，阻碍铁电畴翻转的杂相含量较低；并使用了MIM结构，使得在后期进行RTP退火处理有助于氧化铪薄膜从四方相向铁电正交相进行转化；较高相纯度的铁电正交相使得铁电畴在翻转过程中能够减少非铁电相的阻碍，翻转更加容易，翻转势垒更低，因此实现了0.60‑0.66MV/cm的低矫顽场钇掺杂氧化铪基铁电薄膜。相比现有的铁电氧化铪矫顽场数值1‑2MV/cm，减少了约35％左右，有效的解决了铁电氧化铪存储器大规模商用的阻碍，有利于铁电存储器的未来发展。
-
公开(公告)号：CN112526774A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011525459.5
申请日：2020-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于色散补偿技术的超宽带集成非互易光学器件。本发明利用特定的集成波导结构对集成磁光隔离器的相位随波长的变化关系加以补偿，使其在超宽带范围内均可处于同一工作状态，实现超宽带的工作特性，从而避免了因工作环境温度变化而引起的器件中心波长处性能恶化等问题；同时，超宽带的工作特性实现了与多路不同波长的激光器的兼容工作，避免了在各波长激光器后分别串联非互易光学器件的问题。并且本发明提供了进一步改善反向隔离带宽，提高整体器件性能的更优的技术方案，对降低器件的插入损耗、提高器件的工作带宽及降低集成光学系统的体积、重量、成本等具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN111272666A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010122467.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离激元共振的生物蛋白传感器，具有周期性孔洞结构。本发明器件实现对P偏振光响应工作，当电磁波斜入射到器件表面激发六方周期孔洞结构SPP模式，由于表面等离激元对介质环境具有较高的敏感性，在滴加不同浓度BSA生物蛋白条件下器件SPP模式发生移动。同时利用Ce:YIG材料的磁光性能，外加横向磁场(外磁场方向垂直于入射面)，通过器件表面SPP模式的激发增强TMOKE，根据TMOKE峰位的移动探测BSA的浓度关系。主要应用于生物蛋白质检测、折射率传感器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109100900A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN102436518B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110260528.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子群算法的去耦电容选择方法，主要解决现有技术选择时间长和自动化程度低的问题。其实现步骤是：(1)设置基本参数；(2)随机生成粒子选择的去耦电容器矩阵；(3)判断添加粒子选择的去耦电容器后，电源分配网络阻抗是否小于目标阻抗，如果小于则执行步骤(4)，否则转入步骤(6)；(4)更新粒子个体最优解矩阵；(5)更新种群最优解矩阵；(6)更新粒子选择的去耦电容器矩阵；(7)判断迭代是否结束，如果结束则取出种群最优解矩阵，得到选择的去耦电容器，否则转入步骤(3)。本发明缩短了仿真时间，选择结果直观，提高了去耦电容器选择的自动化程度，可用于高速电路设计。
-
公开(公告)号：CN102436518A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110260528.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子群算法的去耦电容器选择方法，主要解决现有技术选择时间长和自动化程度低的问题。其实现步骤是：(1)设置基本参数；(2)随机生成粒子选择的去耦电容器矩阵；(3)判断添加粒子选择的去耦电容器后，电源分配网络阻抗是否小于目标阻抗，如果小于则执行步骤(4)，否则转入步骤(6)；(4)更新粒子个体最优解矩阵；(5)更新种群最优解矩阵；(6)更新粒子选择的去耦电容器矩阵；(7)判断迭代是否结束，如果结束则取出种群最优解矩阵，得到选择的去耦电容器，否则转入步骤(3)。本发明缩短了仿真时间，选择结果直观，提高了去耦电容器选择的自动化程度，可用于高速电路设计。
-
公开(公告)号：CN111272666B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010122467.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离激元共振的生物蛋白传感器，具有周期性孔洞结构。本发明器件实现对P偏振光响应工作，当电磁波斜入射到器件表面激发六方周期孔洞结构SPP模式，由于表面等离激元对介质环境具有较高的敏感性，在滴加不同浓度BSA生物蛋白条件下器件SPP模式发生移动。同时利用Ce:YIG材料的磁光性能，外加横向磁场(外磁场方向垂直于入射面)，通过器件表面SPP模式的激发增强TMOKE，根据TMOKE峰位的移动探测BSA的浓度关系。主要应用于生物蛋白质检测、折射率传感器。
-
公开(公告)号：CN113671630A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110794542.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成的平面超透镜结构非互易光路由器。本发明通过对每一路输入波导进行相位设计，使其形成特定的相位差，在平面超透镜中所需方向上进行相长干涉并输出；同时磁光波导带来的非互易移相效应能够使得反向传输信号在不同于输入端口的其他端口进行传输，从而实现了在多端口间同时进行正反向非互易光传输的功能。并且通过透镜聚焦进行端口选择的方法使得端口拓展不再需要器件的级联。最终本发明大大拓展了传输状态，有效避免了因多端口器件级联导致的器件尺寸大等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.026 seconds)
