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发明公开
一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用无效

公开(公告)号：CN112635670A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011528457.1

申请日：2020-12-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 , 粟怡杰 , 秦俊 , 邓龙江

IPC: H01L49/02 , H01L27/11507

Abstract: 本发明属于铁电存储器领域，特别涉及一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用。本发明通过对氧化铪薄膜进行氧化钇掺杂，使得该多晶薄膜在特定掺杂浓度中的铁电正交相的相纯度较高，阻碍铁电畴翻转的杂相含量较低；并使用了MIM结构，使得在后期进行RTP退火处理有助于氧化铪薄膜从四方相向铁电正交相进行转化；较高相纯度的铁电正交相使得铁电畴在翻转过程中能够减少非铁电相的阻碍，翻转更加容易，翻转势垒更低，因此实现了0.60‑0.66MV/cm的低矫顽场钇掺杂氧化铪基铁电薄膜。相比现有的铁电氧化铪矫顽场数值1‑2MV/cm，减少了约35％左右，有效的解决了铁电氧化铪存储器大规模商用的阻碍，有利于铁电存储器的未来发展。

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