公开(公告)号：CN105181621A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510528726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  吴勤勤 ,  帅垚 ,  罗文博 ,  潘忻强 ,  孙翔宇 ,  白晓园

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提出了一种全集成红外气体传感器，由微型气室与集成模块键合构成，其中，集成模块包括硅衬底以及硅衬底上的红外光源、红外探测器和信号处理电路；微型气室由上、下硅片键合构成，所述上硅片开设气孔，所述下硅片开设V型微槽、与上硅片及其气孔组合形成光腔，V型微槽两端开设红外光源窗口和红外敏感元窗口；所述红外光源、红外探测器分别与红外光源窗口、红外敏感元窗口对应设置。本发明微型气室采用上、下硅片键合的结构设计，有效减小气室体积；且蛇形的V型微槽能够增加光程长度、提高测量精度；即本发明提供全集成红外气体传感器具有体积小、测量精度高、制备成本低的优点。

公开(公告)号：CN106098937B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610704333.1

申请日：2016-08-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  孙翔宇 ,  帅垚 ,  潘忻强 ,  白晓园 ,  张万里

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。

公开(公告)号：CN102901565A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210235653.9

申请日：2012-07-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: G01J5/00

Abstract: 非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3;其中，1

公开(公告)号：CN102778441A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210240799.2

申请日：2012-07-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: G01N21/35

Abstract: 具有弯管气室的高精度红外气体传感器，涉及电子元器件技术领域。本发明包括光腔气室、光源、光源端封闭装置、探测器、探测器端封闭装置，所述光腔气室[6]为弯管气室。本发明增加了有效吸收光程长度，进而提高了测量精度，使热释电探测器接收到的红外光线分布均匀，可以进一步提高NDIR气体传感器的测量精确度。