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公开(公告)号：CN110036460B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201780073050.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3‑四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3‑四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO‑1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO‑1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。
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公开(公告)号：CN113498547A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080018047.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/28 , H01L21/302
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。
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公开(公告)号：CN107533969B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680020330.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN110799666A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880041939.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23C16/44 , C01G39/04 , C01G41/04 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的金属氟氧化物的处理方法的特征在于使通式MO(6-x)/2Fx(0＜x＜6、M＝W或Mo)所示的金属氟氧化物于0℃以上且不足400℃的温度下与含氟气体接触，通过化学反应转换为通式MF6(M＝W或Mo)所示的六氟化金属。于本处理方法中，能够不使用等离子体产生装置而将金属氟氧化物转换为高蒸气压的物质，能够用于氟化金属制造装置的清洁或成膜装置的清洁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352314A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065817.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , B08B3/08 , B08B3/10 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/5018 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6708
Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
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公开(公告)号：CN102884348A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102803565A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026145.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种使对用于吸附氟化氢的吸附剂进行回收、更换的维护变得容易且能够稳定地供给氟气的氟气生成装置(100)。该氟气生成装置包括精制线(20)，该精制线包含精制装置，该精制装置利用吸附剂除去由电解槽(1)的熔融盐气化而混入到从阳极(103a)生成的氟气中的氟化氢气体，精制线(20)包括并联配置有至少两台精制装置的第1精制部(21)和并联配置有至少两台精制装置的、配置在第1精制部(21)的下游的第2精制部(22)，通过了第1精制部(21)的任一精制装置的氟气被导入到第2精制部(22)的任一精制装置。
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公开(公告)号：CN102713011A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006733.0
申请日：2011-01-18
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的氟气生成装置具备在氟气生成装置紧急停止时起动的紧急停止设备，紧急停止设备具备：替代气体供给设备，其代替随着氟气生成装置的紧急停止所伴随的驱动源的丧失而夹带气体截止阀关闭所导致的被切断的夹带气体，能够将精制装置的冷却介质作为替代气体供给；替代夹带气体截止阀，其切换替代气体向氟化氢供给通路中的供给和切断；以及紧急停止用计测气体供给设备，其具有计测气体截止阀，所述计测气体截止阀随着氟气生成装置紧急停止所伴随的驱动源的丧失而打开，从而可供给计测气体；氟气生成装置紧急停止时，接受计测气体的供给，替代夹带气体截止阀打开，替代气体供给到氟化氢供给通路。
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公开(公告)号：CN102713009A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060752.7
申请日：2010-11-30
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；以及精制装置，其使用冷却介质，使从电解槽的熔融盐中气化而混入到由阳极生成的主产气体中的氟化氢气体凝固并捕集，从而精制氟气；在精制装置中为了凝固氟化氢气体而被使用并被排出的冷却介质作为氟气生成装置的各处中使用的公用气体再利用。
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