公开(公告)号：CN107026175B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201611008943.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于改善半导体器件的性能。鳍片(FA)包括：区域(FA1)；以及区域(FA2)，其相对于区域(FA1)配置于X轴方向的正向侧。控制栅电极(CG)将区域(FA1)的上表面、区域(FA1)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS1)、以及区域(FA1)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS2)覆盖，存储器栅电极(MG)将区域(FA2)的上表面、区域(FA2)的Y轴方向的正向侧的侧面(SS3)、以及区域(FA2)的Y轴方向的负向侧的侧面(SS4)覆盖。区域(FA2)的上表面低于区域(FA1)的上表面，侧面(SS3)在Y轴方向上相对于侧面(SS1)配置于Y轴方向的负向侧。

公开(公告)号：CN106024852B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201610131660.2

申请日：2016-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的各个实施例涉及用于制造半导体器件的方法。对具有分离栅极型MONOS存储器的半导体器件的可靠性做出了改进。形成覆盖控制栅极电极的ONO膜和虚设存储器电极栅极，并且然后跨虚设存储器电极栅极形成在所制造的存储器的源极区域侧的扩散区域。随后，去除虚设存储器栅极电极，并且然后形成存储器栅极电极，该存储器栅极电极的栅极长度小于虚设存储器电极栅极。之后，形成在存储器的源极区域侧的延伸区域。

公开(公告)号：CN105655339B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201510845866.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/1157

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法，改进具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。经由第一绝缘膜在半导体衬底上方形成选择栅电极。在选择栅电极的相对侧表面上方，形成侧壁绝缘膜的第二绝缘膜。在半导体衬底上方，经由具有电荷积累部的第三绝缘膜形成存储器栅电极。选择栅电极和存储器栅电极经由第二绝缘膜和第三绝缘膜彼此邻近。第二绝缘膜布形成在存储器栅电极的下方。插入在选择栅电极和存储器栅电极之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜的总厚度大于插入在半导体衬底和存储器栅电极之间的第三绝缘膜的厚度。

公开(公告)号：CN103985673B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201410032835.5

申请日：2014-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 塚本惠介 ,  三原龙善

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/788 ,  H01L21/336

Abstract: 在半导体衬底的存储器单元区域中形成非易失性存储器的存储器单元的控制栅极电极和存储器栅极电极，并且在外围电路区域中形成需栅极电极。然后在存储器单元区域中形成用于存储器单元的源极或者漏极的n+型半导体区域，并且在外围电路区域中形成用于MISFET的源极或者漏极的n+型半导体区域。然后在n+型半导体区域之上形成金属硅化物层，但是未在控制栅极电极、存储器栅极电极和栅极电极之上形成金属硅化物层。随后去除栅极电极并且替换为用于MISFET的栅极电极。然后在去除栅极电极并且将它替换为用于MISFET的栅极电极之后，在存储器栅极电极和控制栅极电极之上形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN106024852A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610131660.2

申请日：2016-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/6653 ,  H01L27/11563 ,  H01L29/06 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的各个实施例涉及用于制造半导体器件的方法。对具有分离栅极型MONOS存储器的半导体器件的可靠性做出了改进。形成覆盖控制栅极电极的ONO膜和虚设存储器电极栅极，并且然后跨虚设存储器电极栅极形成在所制造的存储器的源极区域侧的扩散区域。随后，去除虚设存储器栅极电极，并且然后形成存储器栅极电极，该存储器栅极电极的栅极长度小于虚设存储器电极栅极。之后，形成在存储器的源极区域侧的延伸区域。

公开(公告)号：CN106024797A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610193243.0

申请日：2016-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善 ,  筱原正昭

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的性能得到改进。在用于制造半导体器件的方法中，在控制栅极电极的表面处顺序地形成第一绝缘膜、导电膜、包含硅的第二绝缘膜、和由硅形成的第三膜。然后，对第三膜进行回蚀刻，以经由第一绝缘膜、导电膜和第二绝缘膜将第三膜保留在控制栅极电极的侧表面处，从而形成间隔件。然后，对导电膜进行回蚀刻，以在间隔件与控制栅极电极之间、以及在间隔件与半导体衬底之间，形成由导电膜形成的存储器栅极电极。

公开(公告)号：CN103985673A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410032835.5

申请日：2014-01-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 塚本惠介 ,  三原龙善

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11531 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S438/926

Abstract: 在半导体衬底的存储器单元区域中形成非易失性存储器的存储器单元的控制栅极电极和存储器栅极电极，并且在外围电路区域中形成需栅极电极。然后在存储器单元区域中形成用于存储器单元的源极或者漏极的n+型半导体区域，并且在外围电路区域中形成用于MISFET的源极或者漏极的n+型半导体区域。然后在n+型半导体区域之上形成金属硅化物层，但是未在控制栅极电极、存储器栅极电极和栅极电极之上形成金属硅化物层。随后去除栅极电极并且替换为用于MISFET的栅极电极。然后在去除栅极电极并且将它替换为用于MISFET的栅极电极之后，在存储器栅极电极和控制栅极电极之上形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN109786230B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811234733.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H10B43/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中，改进了与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性。该半导体器件包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元。该制造方法包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。在用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤之前，该方法包括使存储器单元的高度低于伪栅极电极的高度并形成用于覆盖存储器单元的保护膜的步骤。

公开(公告)号：CN114141624A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110941469.5

申请日：2021-08-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前田一史 ,  三原龙善 ,  新川田裕树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8244

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在半导体层上形成栅极图案并且在半导体层上形成导电膜以覆盖栅极图案。通过对导电膜执行抛光工艺并且图案化抛光后的导电膜，经由侧壁间隔物在栅极图案之间形成焊盘层。

公开(公告)号：CN105390450B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201510536899.3

申请日：2015-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L27/1157 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。提供了一种包括存储器单元的半导体器件，存储器单元具有控制栅极电极和经由电荷积聚层相对于控制栅极电极而形成的存储器栅极电极，半导体器件改进了其性能。通过所谓的后栅极过程来形成配置了存储器单元的控制栅极电极和配置了存储器栅极电极的一部分的金属膜。由此，存储器栅极电极由对应于与ONO膜接触的p型半导体膜的硅膜和金属膜配置而成。进一步地，接触塞耦合至配置了存储器栅极电极的硅膜和金属膜两者。