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公开(公告)号:CN110337711A
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201780087474.6
申请日:2017-02-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种粘合片,其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片(10),该粘合片(10)具备基材(11)、和包含粘合剂组合物的粘合剂层(12),所述粘合剂层(12)的利用在100℃的气体氛围中对硅的芯片拉力试验求出的值为3.0N/芯片以上,并且,将所述粘合剂层(12)粘贴于聚酰亚胺膜并于190℃加热1小时后,其在40℃气体氛围中对所述聚酰亚胺膜的粘合力为1.0N/25mm以下。
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公开(公告)号:CN107922798A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680047320.X
申请日:2016-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J201/00 , H01L21/56 , C09J133/08 , C09J183/04
CPC classification number: H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种粘合片,其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片(10),上述粘合片(10)具备基材(11)和粘合剂层(12),上述粘合剂层(12)的表面自由能为10mJ/m2以上且22mJ/m2以下。
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公开(公告)号:CN107636100B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201680030959.7
申请日:2016-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , B32B27/00 , B32B27/38 , C09J133/08 , C09J183/04 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种粘合片(10),其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的,该粘合片(10)具有:基材(11)、包含粘合剂的粘合剂层(12)、以及设置于基材(11)和粘合剂层(12)之间的低聚物密封层(13)。
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公开(公告)号:CN109390240A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810862224.1
申请日:2018-08-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/485 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J201/00 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,该方法具有以下工序:夹隔着粘接剂层粘贴基材(11)和半导体元件的工序;使所述粘接剂层固化而形成固化粘接剂层(12A)的工序;将多个所述半导体元件密封而形成具有密封树脂层的密封体(3)的工序;将基材(11)从密封体(3)上剥离而不将所述固化粘接剂层(12A)从密封体(3)上剥离的工序;形成与所述半导体元件电连接的再布线层的工序;以及使外部端子电极与所述再布线层电连接的工序。
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公开(公告)号:CN107922810A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680049366.5
申请日:2016-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J133/08 , C09J7/30 , C09J175/04 , C09J175/12 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片(10),其具有基材(11)和粘合剂层(12),粘合剂层(12)包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。
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公开(公告)号:CN107922794A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680050607.8
申请日:2016-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种粘合片,其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片,所述粘合片(10)具备基材(11)和粘合剂层(12),在100℃的气体环境下所述粘合剂层(12)对硅进行的芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上。
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