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公开(公告)号：CN116230752A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310116479.4
申请日：2023-02-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本申请涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该逆导型绝缘栅双极晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区、第二导电类型掺杂的基区、从漂移区的表面延伸入漂移区且平行排列的多个沟槽，沟槽贯穿基区且底部与漂移区接触，沟槽内设置有绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料；基区包括交错分布的有源区和虚拟元胞区；由有源区对应的发射区、接触区及其毗连的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元；虚拟元胞区对应的基区及其毗连的接触区、漂移区和阴极区组成反向恢复晶体管单元；其中，位于虚拟元胞区内的沟槽的绝缘介质层设置有凹槽。本申请在不显著增加工艺和成本的基础上，优化RC IGBT的反向恢复性能，降低二极管的关断损耗。
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公开(公告)号：CN115954375A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211676804.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN115870166A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211679768.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种导热硅脂涂抹工具及应用该工具的IGBT模块安装方法，涉及半导体器件技术领域。其中，一种导热硅脂涂抹工具，包括底座，所述底座一侧设有至少一根用于容纳导热硅脂的硅脂导管，所述硅脂导管远离底座的一端开口，且所述硅脂导管对应IGBT模块上需要涂抹导热硅脂的位置。以及一种IGBT模块安装方法，应用上述导热硅脂涂抹工具。基于本发明的技术方案，将导热硅脂涂抹在IGBT模块实际需要的位置，方便控制导热硅脂的用量，保证IGBT模块与散热器之间直接连接区域最大化，有效降低热阻，提高散热器对IGBT模块的散热效果，并延长IGBT模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112510006A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910872960.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块、封装结构及其焊接方法，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本发明采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大接触面积，从而增强电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110364503B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN110364503A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN107505555B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710796675.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 廖勇波
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及二极管测试技术领域，特别是涉及一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备。其中，该方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流及与最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定二极管的结到壳的热阻参数；根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。因此，其所需要的测试数据相对不大，计算方便。
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公开(公告)号：CN109728083A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811464344.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外，还新增了沟槽底部侧壁的沟道电流，沟道底部中间的PNP结构的电流，因此，在相同的面积下，本发明中的沟槽的通电能力更强。
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