公开(公告)号：CN1845317A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610031439.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  彭坤 ,  李德意 ,  李绍禄 ,  门海泉

IPC: H01L23/36 ,  H01S5/024 ,  H05K7/20

Abstract: 一种Cu－W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体1，其上沉积有一层Cu－W合金薄膜2。所述Cu－W合金薄膜2的厚度为8μm－15μm，薄膜成份为Cu含量8.1％wt～17.5％wt，其余为W。本发明产品具有热膨胀与半导体芯片匹配、热导率高等优良特性，可以避免无氧铜产生热膨胀时直接拉伤半导体芯片，同时防止半导体激光器工作时因热量积聚烧坏芯片，能满足大功率半导体激光器封装的需要，大大提高了半导体激光器寿命。

公开(公告)号：CN1348018A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01128592.3

申请日：2001-09-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  朱启良 ,  李绍禄 ,  过骐千 ,  林美娟 ,  黄桂芳 ,  王锦辉 ,  李德意 ,  厉学文 ,  靳九成 ,  吴玉珍 ,  唐应时 ,  白玉兰 ,  汪亮明 ,  李夏平

IPC: C23C14/06

Abstract: 一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺,其特征在于用双离子束轰击制作混合界面,低能离子束直接沉积类金刚石膜;用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层,同时用中能Ar+离子束轰击膜层,将碳离子注入到基体表层足够的深度,以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面,在此过程中两离子束束流进行交替变化,界面混合一定时间后,停止中能离子束轰击,低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。本发明通过增加碳注入衬底表层的深度和降低膜应力而增强类金刚石膜的粘结强度,其操作简便,膜质量稳定,能适应工业化生产,应用前景十分广阔。

公开(公告)号：CN201352192Y

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200820159479.3

申请日：2008-11-28

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  徐兴龙 ,  张鹏 ,  曾雄 ,  周淼 ,  朱家俊 ,  李绍禄

IPC: G01N1/28

Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。