公开(公告)号：CN1689202A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03806206.2

申请日：2003-06-20

Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  植田宪一 ,  白川晃

Inventor： 白川晃 ,  植田宪一 ,  菅博文 ,  宫岛博文

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/07 ,  H01S3/082

CPC classification number: H01S3/2383 ,  H01S3/067 ,  H01S3/06708

Abstract: 本发明提供的一种光纤激光器装置(1)，具有用激励光激励芯(2a、3a)内的激光活性物质使激光发生、使激光在芯(2a、3a)内传播、从端部(2c、3c)输出的多个光纤激光器(2、3)，其特征在于，各光纤激光器(2、3)，在两端部(2b、2c、3b、3c)具有反射激光的谐振器(4、5)，同时形成使芯(2a、3a)的一部分直径细化的结构，并使各芯(2a、3a)的直径细化部分接近，利用例子来自芯(2a、3a)内的激光，在谐振器(4、5)内实施注入同步。采用该光纤激光器装置(1)，使芯(2a、3a)间相互接近，利用从芯(2a、3a)透出的激光使其实现注入同步，以这样的简单构成，可实现相加效率非常高的，激光器间的相干相加。

公开(公告)号：CN1639822A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804924.4

申请日：2003-02-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  内山昌一 ,  菅博文

IPC: H01J1/32 ,  H01J43/22 ,  H01J31/12 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/32 ,  H01J29/023 ,  H01J29/482 ,  H01J31/506 ,  H01J43/22

Abstract: 本发明的透射型二次电子面，包括下列构成部分，即由金刚石或以金刚石为主要成分的材料所形成的二次电子射出层(1)；加强二次电子射出层(1)的机械强度的支持框(21)；与二次电子射出层(1)的入射面相对设置的第一电极(31)；以及与二次电子射出层(1)的出射面相对设置的第二电极(32)。而且，二次电子射出层(1)的入射面和出射面两者间加上有电压，在二次电子射出层(1)内部形成有电场。一旦一次电子入射从而在二次电子射出层(1)内部有二次电子生成，二次电子便被二次电子射出层(1)内部形成的电场向出射面方向加速，射出至透射型二次电子面的外部。以此可实现一种可相对于一次电子的入射高效率地使二次电子射出的透射型二次电子面以及使用它的电子管。

公开(公告)号：CN1181607A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97120094.7

申请日：1997-10-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  菅博文 ,  山田正美

IPC: H01J7/02 ,  H01J1/30 ,  H01J19/24 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括:场致发射体,由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成,并有其末端是氢的表面;和密封管壳,装有金刚石场致发射体。利用氢的末端,可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外,把氢密封在密封管壳内。由于这种结构,金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定,并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。

公开(公告)号：CN102473463A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034854.1

申请日：2010-07-20

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 村上匡且 ,  猿仓信彦 ,  畴地宏 ,  安原亮 ,  川嶋利幸 ,  菅博文

IPC: G21B1/03

CPC classification number: G21B1/23 ,  H05H1/22

Abstract: 以有效地提高照射的能量线的一样性为目的。本发明的核聚变照射配位决定方法是一种计算在相对于核聚变靶照射能量线的时候的照射配位的方法，具备：假想性地将电荷(Qi)配置于使用随机数设定的球面(So)上的照射配位数(NB)的初始坐标的初始配置步骤(S202)、根据作用于电荷(Qi)之间的库仑力、将电荷(Qi)的坐标(ri)限制于球面(So)上并按照时间序列解析的坐标解析步骤(S203)、根据该坐标(ri)判定电荷(Qi)的电势能稳定化了的时间点的电势评价步骤(S205，S206)、将在电势能稳定化了的时间点上的坐标(ri)作为使核聚变靶配置于球面(So)的中心的情况下的能量线的照射配位而导出的照射配位导出步骤(S207)。

公开(公告)号：CN101164163B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200680012968.X

申请日：2006-04-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  渡边信雄 ,  大石谕 ,  铃木伸孝

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02264 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置，所述散热器(10a)，具有：第1平板(12)，隔板(14)以及第2平板(16)。第1平板具有形成有第1凹部(22)的上面。第2平板具有形成有第2凹部(30)的下面，以及搭载有半导体激光器元件(2a)的上面。这些凹部成为冷却介质用流路的一部分。隔板具有覆盖第1凹部的下面、覆盖第2凹部的上面、以及使第1凹部连通于第2凹部的一个以上的贯通孔(38)。第1以及第2平板都具有第1热膨胀率。隔极具有比第1热膨胀率小的第2热膨胀率。

公开(公告)号：CN100574022C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200680019002.9

申请日：2006-04-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文 ,  内山贵之 ,  松浦正明 ,  松野敏正

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/00 ,  H01S3/101

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K2101/18 ,  B23K2103/04 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/0927 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/405

Abstract: 本发明涉及一种激光装置(10)，其具有包括激光阵列堆栈(12a～12c)的多个光源(11a～11c)。激光束(32b、32c)分别被狭缝镜(14)以及偏振光束分光器(16)进行偏向，并与激光束(32a)合成。这些激光束具有互相倾斜的光轴和互相平行的慢轴。聚光光学系统(20)将来自各光源的激光束汇聚在沿着与慢轴方向相垂直的方向彼此分离的位置上。

公开(公告)号：CN101572201A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910135940.0

申请日：2009-04-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  吉田治正 ,  菅博文

IPC: H01J1/34

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J2231/5001

Abstract: 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1－X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN100492786C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200580029865.X

申请日：2005-09-06

Applicant: 大学共同利用机关法人自然科学研究机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 酒井博 ,  菅博文 ,  平等拓范

IPC: H01S3/113

CPC classification number: H01S3/113 ,  H01S3/0014 ,  H01S3/0621 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/10061

Abstract: 激光装置(10)具备：激光介质(11)，其配置在构成光共振器(12)的一对反射机构(12A、12B)间，同时被激发而放出光；可饱和吸收体(14)，其配置在上述一对反射机构间在光共振器(12)的光轴(L)上，同时伴随着吸收来自激光介质的放出光(21)而增加透射率；激发光源部(13)，其输出激发激光介质的波长的光(22)。上述可饱和吸收体(14)是具有互相垂直的第1～第3晶轴的晶体，被配置在光共振器(12)内以使其分别互相垂直的2个偏光方向的放出光而具有不同的透射率。此时，激光振荡相对于透射率更大的偏光方向的放出光而产生，结果得到偏光方向稳定的激光。

公开(公告)号：CN100438238C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580001983.X

申请日：2005-03-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宫岛博文 ,  菅博文

IPC: H01S5/024 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02407 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀，并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。

公开(公告)号：CN101192642A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196173.5

申请日：2007-11-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  中嶋和利 ,  菅博文

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/305 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。