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公开(公告)号：CN1181607A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括:场致发射体,由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成,并有其末端是氢的表面;和密封管壳,装有金刚石场致发射体。利用氢的末端,可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外,把氢密封在密封管壳内。由于这种结构,金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定,并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1119829C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN97118486.0
申请日：1997-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/16 , H01J1/34 , H01J43/08 , H01J2201/3421 , H01J2231/50
Abstract: 本发明涉及能用于反射型及透射型的、且能获得比单晶金刚石薄膜的量子效率高的光电阴极及装备有它的电子管。本发明的光电阴极至少备有由多晶金刚石或以多晶金刚石为主要成分的材料构成的第1层。在该光电阴极的应用例中，上述第1层的表面用氢或氧进行最终处理。在表面经过用氢或氧最终处理的多晶金刚石薄膜上还可备有由碱性金属或其化合物构成的第2层。
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公开(公告)号：CN101071704A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710126489.7
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1120514C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1182279A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括:封闭容器;放置在封闭容器中的电子源,向封闭容器中发射电子;面对电子源的阳极;安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜,和用来加固薄膜的加固部件,加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1177199A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97118486.0
申请日：1997-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/16 , H01J1/34 , H01J43/08 , H01J2201/3421 , H01J2231/50
Abstract: 本发明涉及能用于反射型及透射型的、且能获得比单晶金刚石薄膜的量子效率高的光电阴极及装备有它的电子管。本发明的光电阴极至少备有由多晶金刚石或以多晶金刚石为主要成分的材料构成的第1层。在该光电阴极的应用例中,上述第1层的表面用氢或氧进行最终处理。在表面经过用氢或氧最终处理的多晶金刚石薄膜上还可备有由碱性金属或其化合物构成的第2层。
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公开(公告)号：CN100347801C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1501424A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1482646A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03178790.8
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1134044C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括：封闭容器；放置在封闭容器中的电子源，向封闭容器中发射电子；面对电子源的阳极；安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜，和用来加固薄膜的加固部件，加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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