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公开(公告)号：CN1120514C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN101752160A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252313.5
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/30426 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0423 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN100524577C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510108881.X
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件，其中在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极、在从牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上设有与阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件。在此规定，电子发射层设置成使其表面位于相对于阴极电极与绝缘层界面偏向基片侧，电子发射层与阴极电极的接触区域限定于孔底面处的除中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子聚焦性能。本发明还提供带有上述电子发射元件的图象显示装置，其中，通过间隙件把具有射出电子束的多个电子发射部矩阵状地排列的电子发射元件的第1面板和第2面板对峙布置在基片上。
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公开(公告)号：CN1781173A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011329.2
申请日：2004-04-26
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30407 , H01J2201/30426 , H01J2329/00
Abstract: 场致发射器件(1)可以用于例如，在场致发射显示器(FED)中发射电子。场致发射端(40)用于在场致发射器件(1)中发射电子。在场致发射器件的运行中，电压施加在具有和场致发射端(40)电接触的第一电极(4)以及第二电极(34)之间以使得场致发射端(40)发射电子。为了形成场致发射端(40)，液体材料层涂覆到具有第一电极(4)的衬底(2)上。用构图印模压印液体材料层并接着被固化以形成场致发射端结构(20)。导电薄膜(38)涂覆在场致发射端结构(20)上以形成具有和第一电极(4)电接触的场致发射端(40)。
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公开(公告)号：CN1482646A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03178790.8
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1848353A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510108881.X
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件，其中在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极、在从牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上设有与阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件。在此规定，电子发射层设置成使其表面位于相对于阴极电极与绝缘层界面偏向基片侧，电子发射层与阴极电极的接触区域限定于孔底面处的除中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子聚焦性能。本发明还提供带有上述电子发射元件的图象显示装置，其中，通过间隙件把具有射出电子束的多个电子发射部矩阵状地排列的电子发射元件的第1面板和第2面板对峙布置在基片上。
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公开(公告)号：CN1229837C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01815909.5
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件，其中在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极、在从牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上设有与阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件。在此规定，电子发射层设置成其表面位于阴极电极与绝缘层界面的基片侧，电子发射层与阴极电极的接触区域限定于孔底面处的除中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子聚焦性能。本发明还提供带有上述电子发射元件的图象显示装置，其中，通过间隙件把具有射出电子束的多个电子发射部矩阵状地排列的电子发射元件的第1面板和第2面板对峙布置在基片上。
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公开(公告)号：CN1460275A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN01815909.5
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明的目的是提供一种能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件。因此，在基片上依次层叠阴极电极、绝缘层、和电子牵引电极，在从前述牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上，设有与前述阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件中，该电子发射层设置成其表面比该阴极电极与该绝缘层之间的界面更靠近基片，而电子发射层与阴极电极之间的接触区域限于该孔的底面处的除了中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子的聚焦性能。
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公开(公告)号：CN1237270A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801204.9
申请日：1998-06-26
Applicant: 摩托罗拉公司
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J29/04 , H01J2201/30426
Abstract: 一种电子发射体(121,221,321,421),包含其上制作有钝化层(120,220,320,420)的电子发射体结构(118)。钝化层(120,220,320,420)由下列元素的氧化物中的一种和它们的组合制成:Ba、Ca、Sr、In、Sc、Ti、Ir、Co、Sr、Y、Zr、Ru、Pd、Sn、Lu、Hf、Re、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Th。在最佳实施例中,电子发射体结构(118)由钼制成,而钝化层(120,220,320,420)由功函数低于钼的功函数的发射增强氧化物制成。
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公开(公告)号：CN1181607A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括:场致发射体,由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成,并有其末端是氢的表面;和密封管壳,装有金刚石场致发射体。利用氢的末端,可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外,把氢密封在密封管壳内。由于这种结构,金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定,并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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