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公开(公告)号：CN100558849C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1639822A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804924.4
申请日：2003-02-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J31/50 , H01J1/32 , H01J29/023 , H01J29/482 , H01J31/506 , H01J43/22
Abstract: 本发明的透射型二次电子面，包括下列构成部分，即由金刚石或以金刚石为主要成分的材料所形成的二次电子射出层(1)；加强二次电子射出层(1)的机械强度的支持框(21)；与二次电子射出层(1)的入射面相对设置的第一电极(31)；以及与二次电子射出层(1)的出射面相对设置的第二电极(32)。而且，二次电子射出层(1)的入射面和出射面两者间加上有电压，在二次电子射出层(1)内部形成有电场。一旦一次电子入射从而在二次电子射出层(1)内部有二次电子生成，二次电子便被二次电子射出层(1)内部形成的电场向出射面方向加速，射出至透射型二次电子面的外部。以此可实现一种可相对于一次电子的入射高效率地使二次电子射出的透射型二次电子面以及使用它的电子管。
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公开(公告)号：CN100481531C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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公开(公告)号：CN1628364A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03803429.8
申请日：2003-02-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J31/50 , H01J1/34 , H01J31/506 , H01J2201/3421
Abstract: 本发明的透射型光电阴极包括以下构成：由金刚石或以金刚石为主要成分的材料形成的光吸收层(1)、增强光吸收层(1)机械强度的支持框(21)、与光吸收层(1)的入射面相对设置的第1电极(31)、以及与光吸收层(1)的出射面相对设置的第2电极(32)。而且，在光吸收层(1)的入射面和出射面之间施加电压在光吸收层(1)内部形成有电场，一旦待检测光入射在光吸收层(1)内部有光电子产生，光电子就因光吸收层(1)内部所形成的电场而在出射面方向上得到加速，从而放射出到透射型光电阴极的外部。
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公开(公告)号：CN1946827A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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公开(公告)号：CN1497657A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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