公开(公告)号：CN101572201A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910135940.0

申请日：2009-04-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  吉田治正 ,  菅博文

IPC: H01J1/34

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J2231/5001

Abstract: 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1－X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN104914518A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510106541.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 前田纯也 ,  远藤和幸 ,  大宫丈典 ,  森田刚德 ,  吉田治正 ,  宫岛博文

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明提供半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统。半导体激光器模块(1)具备射出激光(L)的半导体激光器(21)、以及与半导体激光器(21)光学耦合并将激光(L)进行导波而射出的光纤(3)，光纤(3)具有一个端面(4a)与半导体激光器(21)光学耦合的第一光纤(4)，以及一个端面(5a)熔接于第一光纤(4)的另一个端面(4b)并从另一个端面(5b)射出激光(L)的第二光纤(5)，第二光纤(5)包含弯曲部(7)，芯的截面积比第一光纤(4)的芯的截面积大且数值孔径(NA2)等于第一光纤(4)的数值孔径(NA1)。

公开(公告)号：CN101617388B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880005796.2

申请日：2008-03-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 吉田治正 ,  高木康文 ,  桑原正和

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。

公开(公告)号：CN101617388A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880005796.2

申请日：2008-03-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 吉田治正 ,  高木康文 ,  桑原正和

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。

公开(公告)号：CN102856455B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210300925.9

申请日：2008-03-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 吉田治正 ,  高木康文 ,  桑原正和

IPC: H01L33/20 ,  H01S5/323

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。

公开(公告)号：CN102856455A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210300925.9

申请日：2008-03-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 吉田治正 ,  高木康文 ,  桑原正和

IPC: H01L33/20 ,  H01S5/323

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。