信号处理电路
    11.
    发明公开
    信号处理电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN117837163A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202280056066.5

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 信号处理电路包括:从对象信号除去噪声的滤波电路;和控制滤波电路的控制部。滤波电路包括:CMOS开关,其是具有相互不同的沟道型的第一MOSFET和第二MOSFET,包含并联连接的第一MOSFET和第二MOSFET;和电连接至CMOS开关的输出与接地电位之间的电容器。控制部在第一MOSFET为接通状态的第1状态与第一MOSFET为断开状态第二MOSFET为接通状态的第2状态之间切换CMOS开关的状态。第二MOSFET的接通电阻值大于第一MOSFET的接通电阻值。

    距离传感器及距离图像传感器

    公开(公告)号:CN109690777B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN201780052894.0

    申请日:2017-05-30

    Abstract: 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。

    光检测装置和光传感器的驱动方法

    公开(公告)号:CN114830632A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202080086265.1

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 在本发明的光检测装置中,控制部执行:第一电荷传送处理,通过以传送栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式对传送栅极电极施加电位,从而将在电荷产生区域产生的电荷传送到电荷储存区域;和第一读取处理,读取储存在电荷储存区域的电荷量。控制部,在第一电荷传送处理中,以溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式,对溢出栅极电极施加电位。

    距离图像取得装置及距离图像取得方法

    公开(公告)号:CN116097126A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202180061696.7

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本发明的一方面的目的在于提供能够延长测定距离并且能够确保距离精度的距离图像取得装置。本发明的一方面的距离图像取得装置(1)具备通过使用传输栅电极(42、43)向电荷蓄积区域(24、25)传输对应于从光源(2)出射且被对象物(OJ)反射的测定光的入射而在电荷产生区域(36)中产生的电荷,从而检测测定光的测距传感器(10)。电荷产生区域(36)包含产生雪崩倍增的雪崩倍增区域。控制部(4)将测定对象的整个距离范围(70)分割成多个区间(71A~71E),以使光源(2)的测定光的出射时机和传输栅电极(42、43)的电荷的传输时机之间的时间差(TD)在多个区间(71A~71E)之间不同且对多个区间实施测定的方式,控制测距传感器(10),并基于对于多个区间(71A~71E)的测定结果,生成整个距离范围(70)的距离图像。

    光检测元件和光检测装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112868108A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201980068249.7

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 一种光检测元件,具备:半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层,以及形成于盖层内,与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层,在不向pn结施加反方向偏置的情况下,未达到光吸收层,在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下,从盖层侧超过光吸收层的厚度的50%的位置。

    测距装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106461781B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201580030678.7

    申请日:2015-05-28

    Abstract: 选择部对应于脉冲光的照射位置,以使信号电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的方式将第一传输信号输出至第一传输电极(TX1)并且将第二传输信号输出至第二传输电极(TX2),以使不要电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素以外的像素的不要电荷排出区域(11)的方式将第三传输信号输出至第三传输电极(TX3)。运算部读出对应于分别被收集于被选择部选择的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的信号电荷的量的信号,根据被收集于第一信号电荷收集区域(9a)的信号电荷的量与被收集于第二信号电荷收集区域(9b)的信号电荷的量的比率运算到对象物为止的距离。

    测距装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106461781A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580030678.7

    申请日:2015-05-28

    Abstract: 选择部对应于脉冲光的照射位置,以使信号电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的方式将第一传输信号输出至第一传输电极(TX1)并且将第二传输信号输出至第二传输电极(TX2),以使不要电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素以外的像素的不要电荷排出区域(11)的方式将第三传输信号输出至第三传输电极(TX3)。运算部读出对应于分别被收集于被选择部选择的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的信号电荷的量的信号,根据被收集于第一信号电荷收集区域(9a)的信号电荷的量与被收集于第二信号电荷收集区域(9b)的信号电荷的量的比率运算到对象物为止的距离。

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