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公开(公告)号：CN105226144B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510786400.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法，涉及半导体器件,步骤是：旋涂第一光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；第一次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；旋涂第二光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第二光刻胶层；第二次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第二光刻胶层，制得具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底。本发明方法通过第一层微纳米结构的设计提高GaN的晶格质量，而第二层微纳米结构的设计提高LED的光提取效率，克服了现有技术存在的无法同时兼顾提高GaN晶格质量和最大化提高LED光提取效率的缺陷。
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公开(公告)号：CN106753331A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611101069.9
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/623 , C09K11/703 , C09K11/883 , H01L33/504
Abstract: 本发明公开了一种基于发光纳米颗粒的复合荧光材料及LED封装结构。所述复合荧光材料由含有发光纳米颗粒的高分子层和不含发光纳米颗粒的高分子层构成；所述含有发光纳米颗粒的高分子层表面被不含发光纳米颗粒的高分子层覆盖；所述发光纳米颗粒是具有n层核壳结构的发光纳米颗粒，所述n≥1；发光纳米颗粒包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层。所述LED封装结构包括LED芯片、复合荧光材料和外部支架腔体；所述LED芯片和复合荧光材料安装于外部支架腔体内部；所述复合荧光材料包覆在LED芯片的周边和上方。所述复合荧光材料易于加工成荧光粉体，方便加工和存储，并易于兼容LED封装技术。
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公开(公告)号：CN106590624A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611101035.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/703
Abstract: 本发明公开了一种发光纳米颗粒及其制备方法。所述发光纳米颗粒是具有n层核壳结构的发光纳米颗粒，包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层，克服了现有技术中核材料和壳材料之间的晶格失配和内建应力的缺陷。所述发光纳米颗粒的制备方法，采用在发光纳米颗粒核表面不断生长包覆层的方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN119866114A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510044667.X
申请日：2025-01-12
Applicant: 河北工业大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/81 , H10H20/01
Abstract: 本发明为具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法。该结构在P型GaN层上外延生长三明治结构的本征层和N型GaN层，即让P区上方的GaN层完全吸收光子，在材料吸收光子后，产生光生电子和空穴，通过调节该部分材料的电场，光生空穴能够重新注入量子阱并通过辐射复合发射光子，从而有效避免了传统方法中顶部GaN层吸收光子但光生空穴未被有效利用的问题。本发明能够显著提高的器件顶部的光子的利用率，从而增加衬底的出光。
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公开(公告)号：CN119787092A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510000167.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，该激光器的组成包括：沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下接触层；下接触层上表面的中部为下包层；下包层的上部依次为下波导层、量子阱有源层、上波导层；电子阻挡层为环形结构，分布在上波导层上表面的外侧；电子阻挡层上依次覆盖有上包层和上接触层；上波导层上表面至所述上接触层上表面之间的中心区域，填充有为纳米复合电流阻挡层并溢出上接触层上表面；纳米复合电流阻挡层中，排布有矩形阵列纳米柱。本发明通过金刚石纳米柱结构良好的散热性，提高器件的使用寿命，有效缓解了电流向中心区域扩展，降低了器件的阈值电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220878B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111533672.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明为一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。本发明利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。
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公开(公告)号：CN115000234B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210740678.8
申请日：2022-06-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明为基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。该结构通过在NPN型紫外光电探测器中引入Al组分渐变层替代传统的P型掺杂层，并在或不在AlyGa1‑yN插入层的结构，得到了了三种基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。本发明通过即利用极化效应产生的三维空穴气(3DHG)实现P型掺杂，避免了器件结构内引入的额外的受主杂质，使紫外光电探测器中的电子电流占主导，提高器件的响应速率和响应度。
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公开(公告)号：CN111564511B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010424746.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明为一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构及其制备方法。一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构，其沿着外延生长方向依次包括：衬底101、缓冲层102、吸收层103；吸收层以上的部分为以下两种形式之一：第一种为：吸收层的一侧覆盖有极化薄层，吸收层的另一侧覆盖有肖特基电极；极化薄层的表面还覆盖有欧姆电极；或者，第二种为：吸收层的两侧分别覆盖有左极化薄层和右极化薄层，左极化薄层和右极化薄层表面分别覆盖有欧姆电极。本发明中基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构，生产成本低，制作工艺简单可靠，易于生产，可应用于紫外探测等领域。
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公开(公告)号：CN111463266B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202010282871.2
申请日：2020-04-13
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明为一种具有倾斜侧壁场板的倒梯形栅MOSFET器件结构。该器件结构沿外延生长方向依次包括：漏极、N+型衬底、缓冲层、N‑型漂移层、P型层、N+型源区、钝化层；当衬底材质为氮化镓时，所述的器件结构没有缓冲层；该器件结构通过倒梯形形状的栅极结构、具有一定倾斜角度的倾斜台面结构，以及覆盖于倾斜侧壁上的倾斜场板结构，从而拓展了漂移区的耗尽宽度，减小了源‑漏电流，并且有效解决器件由于栅槽底部的强电场而造成器件过早击穿的问题，最终提高功率MOSFET的反向击穿电压，使其更适用于高压操作环境。本发明方法可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。
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公开(公告)号：CN111863861B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010750824.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01L21/329
Abstract: 本发明为一种同时具有SBD和DUV LED结构的集成光电子芯片结构及其制备方法。该结构包括排列为一行的n个SBD器件，以及位于其下的n列*m行的DUV LED；所述的SBD和DUV LED呈阵列排布；n个SBD器件为串联，右端的欧姆接触电极和上面的条形芯片电极相连；左端的肖特基接触电极和下一行正下方的DUV LED的n型欧姆电极相连，DUV LED的p型欧姆电极和相邻的DUV LED的n型欧姆电极相连；n列*m行的DUV LED呈蛇形排列串联。本发明可以利用SBD结构的单向导通性将市路电压220V的交流电(AC)变为脉冲直流电(DC)，从而可以实现市路电压对该器件的直接供电，脉冲直流电可以减少DUV LED发热，延长使用寿命，此外制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。
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