-
公开(公告)号：CN119866114A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510044667.X
申请日：2025-01-12
Applicant: 河北工业大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/81 , H10H20/01
Abstract: 本发明为具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法。该结构在P型GaN层上外延生长三明治结构的本征层和N型GaN层，即让P区上方的GaN层完全吸收光子，在材料吸收光子后，产生光生电子和空穴，通过调节该部分材料的电场，光生空穴能够重新注入量子阱并通过辐射复合发射光子，从而有效避免了传统方法中顶部GaN层吸收光子但光生空穴未被有效利用的问题。本发明能够显著提高的器件顶部的光子的利用率，从而增加衬底的出光。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
