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公开(公告)号：CN110938424B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911240236.1
申请日：2019-12-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种量子点与纳米片互联的组装复合材料及其制备方法。所述的材料包括量子点和纳米片，量子点的表面附着第一有机功能配体；纳米片的表面附着第二有机功能配体；量子点通过两种有机功能配体的聚合作用，附着在纳米片上下表面，形成量子点与纳米片互联的组装复合结构。本发明实现了量子点与高热导纳米片的紧密结合，有效地解决了量子点不易与高热导纳米片结合的问题。本发明材料提升了量子点的热导效率，有效解决了量子点自身在激发状态下的热积累问题，增强了量子点的热稳定性。
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公开(公告)号：CN111139072A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010083277.0
申请日：2020-02-08
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明为一种非质子化配体修饰的钙钛矿材料，该钙钛矿材料由有机二价金属羧酸盐和有机磷化物高温下参与反应制备得到，其中有机二价金属羧酸盐反应后提供羧酸根配体结合在钙钛矿表面、有机磷化物参与反应后转化为有机磷氧化物吸附在表面，二价金属富集在钙钛矿表面。通过在制备过程中规避采用传统方法中的胺和酸前体，构建无胺无酸反应环境，最终形成富二价阳离子、并被酸根配体修饰的钙钛矿材料表面。所得到的表面修饰结构可以显著提高钙钛矿材料的光、热和水氧稳定性，有效减缓水汽条件下钙钛矿材料的降解。
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公开(公告)号：CN105932129B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610260335.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种LED的芯片结构及其制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、N型半导体材料、多量子阱层、P‑型半导体材料、绝缘层、电流扩展层、P型欧姆电极和N型欧姆电极，其中绝缘层所用材质为无掺杂的AlN、Al2O3、SiO2、Si3N4、金刚石、LiF或PMMA，厚度为0.5～20nm；通过插入绝缘层，减少P‑型半导体材料与金属接触处的耗尽区长度，提高空穴浓度，增加空穴遂穿概率，减小P‑型半导体材料/P‑电极的接触电阻，提高内量子效率和电光转化效率，克服了现有技术存在LED器件中P‑型半导体材料掺杂效率不高，空穴注入效率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN105226144B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510786400.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法，涉及半导体器件,步骤是：旋涂第一光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；第一次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；旋涂第二光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第二光刻胶层；第二次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第二光刻胶层，制得具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底。本发明方法通过第一层微纳米结构的设计提高GaN的晶格质量，而第二层微纳米结构的设计提高LED的光提取效率，克服了现有技术存在的无法同时兼顾提高GaN晶格质量和最大化提高LED光提取效率的缺陷。
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公开(公告)号：CN106753331A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611101069.9
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/623 , C09K11/703 , C09K11/883 , H01L33/504
Abstract: 本发明公开了一种基于发光纳米颗粒的复合荧光材料及LED封装结构。所述复合荧光材料由含有发光纳米颗粒的高分子层和不含发光纳米颗粒的高分子层构成；所述含有发光纳米颗粒的高分子层表面被不含发光纳米颗粒的高分子层覆盖；所述发光纳米颗粒是具有n层核壳结构的发光纳米颗粒，所述n≥1；发光纳米颗粒包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层。所述LED封装结构包括LED芯片、复合荧光材料和外部支架腔体；所述LED芯片和复合荧光材料安装于外部支架腔体内部；所述复合荧光材料包覆在LED芯片的周边和上方。所述复合荧光材料易于加工成荧光粉体，方便加工和存储，并易于兼容LED封装技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106590624A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611101035.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/703
Abstract: 本发明公开了一种发光纳米颗粒及其制备方法。所述发光纳米颗粒是具有n层核壳结构的发光纳米颗粒，包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层，克服了现有技术中核材料和壳材料之间的晶格失配和内建应力的缺陷。所述发光纳米颗粒的制备方法，采用在发光纳米颗粒核表面不断生长包覆层的方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN113480996A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110928672.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为晶态氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶及其制备方法、应用，晶态氢氧化物包含非铅的金属氢氧化物，总氢氧化物在氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶中含量为1‑99wt％。本发明在纳米晶表面包裹形成晶态非铅氢氧化物，相比非晶态氧化物包覆和含铅氢氧化物包覆具备更好的水氧阻隔特性、发光效率和耐热特性。制备方法中采用含水极性溶剂作为合成溶剂，通过缓慢调节酸碱平衡实现包裹过程与合成过程同步进行，避免了二次包裹过程对纳米晶表面造成化学损伤。而且极性溶液环境有利于调控前驱体离子的解离平衡，配体离子可以更加有效地钝化纳米晶表面，提升纳米晶发光效率。
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公开(公告)号：CN113105885A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110403850.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括钙钛矿纳米晶和包覆在钙钛矿纳米晶表面的氧化锌。通过有机锌与修饰有机羧酸根配体的钙钛矿相结合在钙钛矿表面形成氧化锌过渡层，再结合氧源反应逐步生长形成钙钛矿/氧化锌异质结构。钙钛矿/氧化锌II型异质结构纳米晶材料波长调控步长
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公开(公告)号：CN108192606A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810189200.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明全无机钙钛矿量子点制备方法，涉及含无机发光材料，采用一锅法，无需先制备铯源的前驱体，将所需量的铅源和铯源，用配体溶解在有机溶剂中，经真空干燥后，在设定温度下注入卤素源，此时Pb、Cs和卤素X三种元素会相互作用，沉淀出CsPbX3全无机钙钛矿量子点，克服了现有技术存在的①反应物来源受限，室温条件制备方法的反应物是卤化铯和卤化铅，高温条件制备方法的反应物是碳酸铯和卤化铅，且只能是这两种物质反应；②元素之间的量比不能调节，即Pb和卤素X的量比受限于卤化铅反应物；③需要提前制备前驱体且预热的复杂步骤的三个缺陷。
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公开(公告)号：CN105990534B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610530793.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件，包括下述步骤：1)制备光电转换层材料的前驱体溶液；2)制备透明导电基底；3)在步骤2)中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4)利用半导体加工方式，在步骤3)得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；5)以步骤4)中的骨架结构作为骨架，将步骤1)制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。
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