公开(公告)号：CN118607460A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410365123.9

申请日：2024-03-28

Applicant: 武汉大学

Inventor： 倪闻涛 ,  王诗兆 ,  吴改 ,  陈民 ,  田志强

IPC: G06F30/398 ,  G06T17/20 ,  G16C60/00 ,  G06N3/006 ,  G06F113/18 ,  G06F111/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明公开一种用于TSV‑Cu的本构关系模型构建方法，步骤为：对TSV‑Cu纳米压痕实验；使用有限元仿真软件ABAQUS基于幂律型本构模拟实验中的纳米压痕过程；构建多目标优化平台，以幂律型本构模型的初始参数作为输入变量，以载荷‑位移曲线的最小二乘距离(q(P/Pmax))、最大载荷差(ΔPmax)、接触刚度差(ΔS)和接触硬度差(ΔH)作为优化目标，获得较为集中的非劣最优解集合Pareto Front；确定唯一最优解，并标定TSV‑Cu的微观本构参数。本发明为一种确定TSV‑Cu本构模型的新型方法，为研究不同退火温度下TSV‑Cu的本构行为提供了解决方案，对提高TSV‑Cu的热力学性能，保障三维微电子封装结构的可靠性具有重大意义。

公开(公告)号：CN119165001A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411144595.8

申请日：2024-08-20

Applicant: 武汉大学

Inventor： 王诗兆 ,  陈民 ,  田志强 ,  倪闻涛

IPC: G01N25/20 ,  G06F30/23 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开考虑体积收缩的金属介质接触热阻测试方法及测试装置，测试方法包括建立金属/介质的接触热阻模型；获取金属/介质的界面的应变分布情况；计算出所述界面的位移场；计算出所述界面整体的等效平均位移；通过仿真模拟所述界面产生相同平均位移，得到此时的载荷大小；向实际模型施加相同大小的载荷，使实际模型的界面产生等效的平均位移；测量实际模型的接触热阻即可得到实际模型的界面接触热阻。本发明考虑了因工艺过程产生的体积收缩问题对接触热阻的影响，同时通过建模仿真的方法解决了实际生产中金属/介质界面接触热阻难以测量的问题，本发明提供的方法可为封装工艺过程中测试金属/介质接触热阻提供理论依据。

公开(公告)号：CN118486648A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410708974.9

申请日：2024-06-03

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘胜 ,  王诗兆 ,  田志强 ,  习杨 ,  李瑞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构及其制备方法，制备方法包括：制备第一半导体结构，其自下而上至少包括：第一晶圆、埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；第一晶圆中设置有贯穿的第一组TSV，且第一组TSV中填充有导电金属柱；制备第二半导体结构，自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一和第二半导体结构进行键合，实现结构和电学连接，完成背面供电芯片制造。通过本申请，采用两块晶圆制备背面供电的芯片结构，在一块晶圆上制备芯片结构，另一块晶圆上制备背面供电结构；两块晶圆可以采用不同工艺制程制造相应结构，提高芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。

公开(公告)号：CN117316837B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311615234.2

申请日：2023-11-29

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘胜 ,  王诗兆 ,  习杨 ,  田志强 ,  李照东 ,  东芳

IPC: G06F30/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G06F17/18 ,  G06F17/11