公开(公告)号：CN103880415A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN103803966A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103345997A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310262113.4

申请日：2013-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  李吉乐 ,  张小文 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: H01C17/30 ,  H01C7/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/22 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法，该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3，其中；a＋b＋c＋d+e＋f+g=1，各组分的摩尔比分别是：0.95≤a≤0.97，b=0.007，c=0.01，d=0.008，e=f=0.005，0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料，然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。

公开(公告)号：CN103435262B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310372577.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  王家鑫 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  邹夏俊

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/16

Abstract: 本发明公开了一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法，它是先称取以摩尔百分比计的：ZnO=40-42，SrO=20-22，P2O5=36-40。稀土外加，放入玛瑙研钵中，加入适量无水乙醇后充分研磨均匀制成配合料；待配合料干燥后倒入坩埚中，先在500℃保温0.5h，然后快速升温至1200-1250℃保温2h；随后将熔化好的玻璃液倒入模具中成型，然后将成型好的玻璃迅速放进马弗炉中退火后，随炉冷却到室温；将块状玻璃经切割、研磨、抛光成为透明状玻璃片。该稀土共掺的玻璃发光性能优异，可以有效地被358nm或377nm紫外光激发。通过调控玻璃组成和稀土离子浓度可方便地调节荧光玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。

公开(公告)号：CN103864412A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410063590.2

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  杨涛 ,  刘心宇 ,  冯琴 ,  陈国华 ,  黎清宁 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号MII为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。

公开(公告)号：CN103708817A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103274684A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310235066.4

申请日：2013-06-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周秀娟 ,  周昌荣

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。

公开(公告)号：CN103435262A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310372577.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  王家鑫 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  邹夏俊

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/16

Abstract: 本发明公开了一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法，它是先称取以摩尔百分比计的：ZnO=40-42，SrO=20-22，P2O5=36-40。稀土外加，放入玛瑙研钵中，加入适量无水乙醇后充分研磨均匀制成配合料；待配合料干燥后倒入坩埚中，先在500℃保温0.5h，然后快速升温至1200-1250℃保温2h；随后将熔化好的玻璃液倒入模具中成型，然后将成型好的玻璃迅速放进马弗炉中退火后，随炉冷却到室温；将块状玻璃经切割、研磨、抛光成为透明状玻璃片。该稀土共掺的玻璃发光性能优异，可以有效地被358nm或377nm紫外光激发。通过调控玻璃组成和稀土离子浓度可方便地调节荧光玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。

公开(公告)号：CN102381874B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110215700.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  康晓玲 ,  侯美珍 ,  包燕 ,  狄洁昌 ,  李擘 ,  杨云

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料包括主要粉料Li2ZnTi3O8、辅助成分TiO2及低熔点LZB或LBS玻璃粉，TiO2和玻璃粉以粉末形式加入到Li2ZnTi3O8粉体中，然后在球磨机中混匀、干燥、造粒、烧结制成。材料的配比是以Li2ZnTi3O8粉体为基准，按照玻璃粉占Li2ZnTi3O8质量的0.5～3wt%，TiO2粉体占Li2ZnTi3O8质量的0～5wt%进行配料。通过传统固相反应法，即可得到本发明材料。本发明制备的低温共烧微波介质陶瓷，其烧结温度低（875℃左右），微波介电性能优良，与Ag电极共烧良好，可以采用高导电率、低成本的纯银作为电极材料，可极大地降低器件的制造成本，可用于低温共烧陶瓷（LTCC）系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN102898135A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210386022.7

申请日：2012-10-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  彭福伟

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料主要成分为Ca0.8Sr0.2TiO3和Li0.5Nd0.5TiO3组合固熔体。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3粉体，所得混合粉体在1050~1150℃保温2~4小时进行预烧，把所得预烧粉体进行二次球磨过筛；再加入少量乙酸锰（Mn(CH3COO)2），并压制成圆柱状坯体，把所得坯体在1200~1350℃温度下保温2~4小时烧结成瓷，即可得到掺Mn的Li补偿(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3高介电常数微波介质陶瓷材料。该材料介电常数高、谐振温度系数小、损耗较低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>120，谐振温度系数绝对值 1500GHz。制备工艺相对简单、稳定。