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    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法
    11.
    发明公开
    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710172A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510103499.3

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、 n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值： x/y= 0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。

    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法
    12.
    发明公开
    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710171A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510103056.4

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。

    一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法
    15.
    发明公开
    一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103274684A

    公开(公告)日：2013-09-04

    申请号：CN201310235066.4

    申请日：2013-06-14

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 袁昌来 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周秀娟 ,  周昌荣

    IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。

    一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法
    19.
    发明公开
    一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102005273A

    公开(公告)日：2011-04-06

    申请号：CN201010297410.9

    申请日：2010-09-30

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

    IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

    Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

    一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷
    20.
    发明公开
    一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 失效

    公开(公告)号：CN101200370A

    公开(公告)日：2008-06-18

    申请号：CN200710050304.9

    申请日：2007-10-18

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  刘心宇

    IPC: C04B35/465 ,  C04B35/475 ,  H01L41/16

    Abstract: 本发明公开了一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料，所公开的无铅压陶瓷成分用通式(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yBi(Me)O3和(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yBi(Me)O3+zMaOb来表示，式中x、y和z表示摩尔分数，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达180pC/N以上，Kp可达0.36以上。该体系无铅压电陶瓷采用传统电子陶瓷制备工艺制备，烧结温度低，制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。

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