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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN118169877A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410467488.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于连续体准束缚态(Quasi‑BIC)强圆二色性的手性超表面器件，其结构由嵌入在各向异性介质中成对的硅(Si)介电棒构成，其中每对介电棒都有一个小的垂直位移d以消除镜像对称。本设计结构可以在650～700nm的近红外波长范围内实现强CD响应，当沿前向(+Z)或者后向(‑Z)入射圆偏振光时，结构会表现出相反的CD响应，并且使用旋转调制的方式可以使得最大CD响应为1。本设计所提出的方法新颖且容易实现，未来有望在对纳米光子学的柔性调谐和增强手性响应方面做出重要贡献。
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公开(公告)号：CN112099311B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN116819659A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310626575.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多层石墨烯的多功能偏振选择性吸波器，该滤波器的结构是以金为衬底，二氧化硅介质层和三层不同结构的石墨烯构成，基于耦合模理论(CMT)，利用两个两亮模式和一个暗模式的耦合形成了三峰吸收，本发明可以通过分别施加在三个石墨烯模块的电压改变石墨烯的费米能级，实现完美吸收、电光开关、折射率传感、单一波长TM偏振平面光的完美吸收的功能，各种功能性能均良好，该发明对于光电集成和多功能光学器件有较好的发展前景。
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公开(公告)号：CN116598790A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310620400.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提出一种基于椭圆环形镂空石墨烯的宽带效率可调超透镜。该透镜由四层结构构成，自下而上分别是电介质层，椭圆环形镂空石墨烯阵列层，离子凝胶层以及金属电极。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的镂空石墨烯椭圆环，使透射光在目标太赫兹波段能够满足2π相位的同时还保持着较高的透射率，这是实现超透镜聚焦所必须的。离子凝胶层和金属电极用于对石墨烯费米能级的统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，可以在宽频带内(4.9～5.3THZ)实现超透镜聚焦效率的动态调控。除此之外，该发明还具有高数值孔径、透射光工作和易于集成等优点。因此，在太赫兹应用领域中，如光通信、能量收集和成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504878A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310522786.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN113241406B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN112707433B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN115542437A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211287322.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜，首先在实现采样精度高而要求周期小的情况下，对结构单元采用1：1的嵌入式比例，可以降低深宽比的限制。根据广义斯涅尔定律求解出不同空间位置的相位，构建超透镜。数值分析表明在λ＝600nm线偏振光时，焦距偏差约为2.2％，焦点半高全宽(FWHM)打破了衍射极限，具有高精度要求。在650～550nm下，焦距最大误差2.39um，因为焦深的存在，误差可以忽略；在波长550nm处出现明显纵深强度相当的双焦点；在550～490nm处表现处一个数值孔径更大、FWHM仅为0.5um的强度可调的焦点。因此本设计的超透镜可以实现消高宽比、纵向双焦点聚焦、强度可控、短波段共焦的特性，可应用在彩色成像，光路复用，透镜聚焦集成器件上。
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公开(公告)号：CN113281301A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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