公开(公告)号：CN102148169B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110000505.4

申请日：2011-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 丁荣军 ,  罗海辉 ,  刘博 ,  曾文彬 ,  雷云 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  彭勇殿 ,  张明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/01 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。