-
公开(公告)号：CN105980098A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007681.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: B23K26/066 , B23K26/382
Abstract: 本发明涉及光束整形掩模、激光加工装置以及激光加工方法。其为具有与被激光加工于薄膜(15)的开口图案(20)的形状相似的形状的开口(4)的光束整形掩模(1)，开口(4)被形成为该开口(4)内的光透射率从中央部向周缘部递减、并且即使在周缘部也具有能够确保能够激光加工薄膜(15)的至少最低限度的激光强度的光透射率，从而防止在激光加工后的孔的边缘部产生毛刺(22)。
-
公开(公告)号：CN103081060B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180042029.0
申请日：2011-07-26
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/027 , G02B3/00 , G03F9/00
CPC classification number: G03F1/42 , G02B3/0056 , G02B3/0068 , G03F1/38 , G03F9/7038 , G03F9/7096
Abstract: 本发明提供一种能够防止异物进入到微透镜阵列与基板之间并且能够防止由于基板的异常接近和上述异物导致对微透镜造成伤痕的曝光装置和光学构件。在透明基板（1）的上方配置有形成了多个微透镜（3a）的微透镜阵列（3），该微透镜阵列（3）在其端面（6）与掩模（4）接合。在掩模（4），在微透镜阵列（3）的两侧接合有对准标记台（12），在该对准标记台（12）的与基板（1）的相向面形成有对准标记（11）。对准标记台（12）与基板（1）之间的间隔小于微透镜阵列（3）与基板（1）的间隔。
-
公开(公告)号：CN105121692A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020185.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: C23C14/042 , H01L51/0011
Abstract: 本发明是成膜掩模(1)，成膜掩模(1)具有使树脂制的膜(3)与片状的磁性金属构件(2)的一面紧密接触而形成的结构，磁性金属构件(2)具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔(5)，成膜掩模(1)设有在上述各贯通孔(5)内的上述膜(3)的部分贯通的多个开口图案(6)，上述膜(3)具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性，上述膜(3)的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件(2)的上述贯通孔(5)的长轴交叉的方向一致。
-
公开(公告)号：CN103415810B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280011253.8
申请日：2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70358
Abstract: 在曝光装置中，设置有射入透过了光源和掩模的曝光用光，并以具有规定的规则性配置的使正立等倍像在基板上成像的多个微透镜的微透镜阵列。进而，在基板到达了规定位置时，从光源脉冲地照射激光，将基板依次曝光，在基板的曝光对象区域的全域被曝光之后，将微透镜阵列与掩模的相对位置关系，仅以微透镜的行间距，在列方向依次切换，进行下一个顺序的曝光。由此，能以短曝光行程进行高精度且高分辨率的曝光。
-
公开(公告)号：CN103392150B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280011228.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70275 , G02B3/0056
Abstract: 曝光装置，使来自光源的曝光用光透过在与扫描方向正交的方向隔开规定的间隔设置有应曝光的多个图案的掩模，并且通过微透镜阵列的多个微透镜使图案的正立等倍像在基板上成像。微透镜阵列构成为，微透镜阵列芯片在第二方向连接，在支承微透镜阵列芯片的框状的支架中，在与微透镜阵列芯片之间的位置匹配的位置设置有曝光用光透过用的开口。由此，能遍及成为多枚单个基板的区域将形成有正性抗蚀剂材料的基板进行曝光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103140804B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
-
公开(公告)号：CN103885247A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410070500.2
申请日：2009-04-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。
-
公开(公告)号：CN101990651B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980112848.0
申请日：2009-04-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。
-
公开(公告)号：CN103718066A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037832.X
申请日：2012-07-23
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02B3/00 , G02B7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7015 , G02B3/00 , G02B3/0056 , G02B3/0062 , G02B3/0075 , G02B7/00 , G02B27/0961 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列在玻璃板的上表面及下表面分别层叠有单位微透镜阵列，由上板及下板保持各单位微透镜阵列。在各单位微透镜阵列和玻璃板形成有对位用的标记，单位微透镜阵列和玻璃板利用这些标记来进行对位并互相层叠。由此，在使用多片微透镜阵列的扫描曝光中，能够防止曝光不匀。
-
公开(公告)号：CN103261955A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201080070722.4
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G03F9/7069 , G02F1/1303 , G02F1/133788
Abstract: 本发明使用如下所述的多个光掩模（2），向各光掩模（2）的第1及第2开口（1A、1B）分别射入偏振方向和对于基板的入射角中的至少一方不同的两束偏振光，使通过第1及第2开口（1A、1B）的两束偏振光向在光掩模（2）下侧被输送的基板（9）上的取向膜照射，相邻地形成第1及第2取向区域，上述多个光掩模在与基板（9）的输送方向交叉的方向上相互交错地排列配置，使得上述第1及第2开口（1A、1B）在该方向上以一定的排列间距排列，上述第1及第2开口（1A、1B）的与基板输送方向交叉的方向上的宽度被设定成，取向状态不同的第1及第2取向区域的相邻的端部区域重叠与对准装置（7）的跟随精度大致相等的尺寸，如此形成上述第1及第2开口（1A、1B）。由此，能够使在多个光掩模的接缝发生的取向混乱不显著。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
181
records
(took 0.084 seconds)
