公开(公告)号：CN113805428A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110618642.8

申请日：2021-06-03

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够将微细的孔图案稳定地析像的光掩模。本光掩模具备露出透过性基板的透过部、以及以包围透过部的方式将曝光光的相位反转的第一相移部和第二相移部。第二相移部介于第一相移部与透过部之间，第二相移部对曝光光的透射率比第一相移部的透射率低。另外，第二相移部可由第一相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构构成。

公开(公告)号：CN108388078B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201810100694.4

申请日：2018-02-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。

公开(公告)号：CN108388078A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810100694.4

申请日：2018-02-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。