公开(公告)号：CN109715601A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780053070.5

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/04

Abstract: 本发明涉及下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。在通式(I)中，R1表示碳数1～6的直链或支链烷基，M表示镍原子或锰原子。特别地，在通式(I)中，R1为甲基的化合物由于蒸气压高，热分解开始温度高，因而适合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN117136228A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280024383.9

申请日：2022-03-14

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西泽大树 ,  城户裕喜 ,  山下敦史 ,  茂木和之 ,  根津亨

IPC: C11B3/10

Abstract: 本发明提供一种精制油脂的制造方法，其能够高效地得到3‑MCPD类和缩水甘油类中的任意一种以上的含量得到了充分降低的油脂。所述制造方法包含在减压下以100℃以上且170℃以下的油脂温度保持10分钟以上且90分钟以下的时间的脱色工序。

公开(公告)号：CN115380038A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180027605.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  武田圭介 ,  福岛亮太 ,  满井千瑛 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07F7/22 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物、以及将所述化合物用作原料的薄膜的制造方法。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)

公开(公告)号：CN114502770A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069857.2

申请日：2020-09-24

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及利用原子层沉积法的含氧化钇膜的制造方法，其包括以下工序：将含有三(仲丁基环戊二烯基)钇的薄膜形成原料气化而得到的原料气体导入处理气氛中，在基体上沉积三(仲丁基环戊二烯基)钇的工序；以及，使在所述基体上沉积的三(仲丁基环戊二烯基)钇与含有选自氧等离子体、臭氧、臭氧等离子体以及它们的混合物中的气体的反应性气体在处理气氛中反应，将钇氧化的工序。

公开(公告)号：CN111943978A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L51/00

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

公开(公告)号：CN110475904A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022667.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 本申请是一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上的工序；以及，将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化的工序。