公开(公告)号：CN112004959A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027076.4

申请日：2019-04-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 远津正挥 ,  武田圭介 ,  西田章浩

IPC: C23C16/40 ,  C07F3/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明使用含有下述通式(1)所示的镁化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料，在基体的表面生产率良好地制造含有镁原子的薄膜。(式中，R1表示异丙基、仲丁基或叔丁基。)

公开(公告)号：CN118223007A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410330494.3

申请日：2021-03-18

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 武田圭介 ,  远津正挥

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供在基体的表面制造含有铟原子或镓原子的薄膜的方法，其包括：使将含有下述通式(1)表示的化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料气化而得到的原料气体中的所述化合物吸附于所述基体的表面来形成前体薄膜的工序；和使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铟原子或镓原子的薄膜的工序，#imgabs0#式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示由下述通式(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代，#imgabs1#式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与通式(1)中的M的键合位置，R21与R22为不同的基团，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代。

公开(公告)号：CN115362282B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202180025691.9

申请日：2021-03-18

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 武田圭介 ,  远津正挥

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供原子层沉积法用薄膜形成用原料，其含有由下述式(1)表示的化合物。#imgabs0#(式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示下述式(L‑1)或者(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子。)#imgabs1#(式中，R11～R12各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基，*表示与式(1)中的M的键合位置。)#imgabs2#(式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与式(1)中的M的键合位置。但是，R21与R22为不同的基团)。

公开(公告)号：CN115362157A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180025692.3

申请日：2021-03-18

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 福岛亮太 ,  武田圭介 ,  远津正挥

IPC: C07F3/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供下述通式(1)或(2)表示的锌化合物。(式(1)中，R1表示未取代的碳原子数1～5的烷基等，R2和R5各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数1～5的烷基等，R3和R4各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数1～5的烷基等。)(式(2)中，R10、R11、R14及R15各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数为1～5的烷基等，R9、R12、R13及R16各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数为1～5的烷基等)。

公开(公告)号：CN115380038A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180027605.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  武田圭介 ,  福岛亮太 ,  满井千瑛 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07F7/22 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供下述通式(1)所示的脒基化合物或其二聚体化合物、以及将所述化合物用作原料的薄膜的制造方法。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～5的烷基，R3表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示M所示的原子的价数，其中，R1～R3中的至少一个氢原子被氟原子取代。)

公开(公告)号：CN115362282A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180025691.9

申请日：2021-03-18

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 武田圭介 ,  远津正挥

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供原子层沉积法用薄膜形成用原料，其含有由下述式(1)表示的化合物。(式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示下述式(L‑1)或者(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子。)(式中，R11～R12各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基，*表示与式(1)中的M的键合位置。)(式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与式(1)中的M的键合位置。但是，R21与R22为不同的基团)。