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公开(公告)号：CN111052402B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880057729.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，包括分离的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的显露在主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的显露在主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于第1灵敏度区域而言，接收向受光面入射的入射光的至少一部分，成为随着主面中的被照射入射光的照射区域R的增大而减小照射区域R中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率的图案。
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公开(公告)号：CN112514033A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050101.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
Abstract: 本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。
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公开(公告)号：CN111033760A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880050811.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，其中，包括具有不同的光电转换特性的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的在主面显露的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的在主面显露的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则第1灵敏度区域接收向受光面入射的入射光的至少一部分，并成为随着主面中的被照射入射光的照射区域(R)的增大而使照射区域(R)中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率变小的图案。
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公开(公告)号：CN105830173B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104067353B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380006560.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H05K1/0274 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05K1/092 , H05K2201/0329 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
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公开(公告)号：CN112514034B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980050155.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成，并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中，外周面(52a)的周向的一部分为曲线，余部为直线。
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公开(公告)号：CN112513315B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980050810.9
申请日：2019-06-13
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 口山崇
Abstract: 本发明提供带有透明电极的基板及其制造方法，在具有透明膜基板的膜基材上形成如下的透明氧化物层而能够实现低电阻率：所述透明氧化物层具有非晶质的透明基底氧化物层和非晶质的透明导电性氧化物层，是从膜基材侧依次连续地通过溅射法进行制膜的，并且，形成透明基底氧化物层时的使用直流(DC)电源的放电电压(VU)的绝对值为255V以上且280V以下，且形成透明基底氧化物层时的直流电源的放电电压(VU)与形成透明导电性氧化物层时的直流电源的放电电压VC的比(VU/VC)的值为0.86以上且0.98以下。
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公开(公告)号：CN113767009A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202080022321.5
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 口山崇
Abstract: 本发明提供能够在膜基材上形成作为低电阻率透明电极层的透明氧化物层的带有透明电极的基板的制造方法。该带有透明电极的基板的制造方法具备以下的工序：在成膜压力Pu、成膜时的氧分压Pou下通过溅射法形成透明基底氧化物层的透明基底氧化物层形成工序和在成膜压力Pc、成膜时的氧分压Poc下通过溅射法在透明基底氧化物层上形成透明导电性氧化物层的透明导电性氧化物层形成工序，其中，在Pu、Pc、Pou和Poc满足规定式的条件下，将透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层制膜，在膜基材上形成包含透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层的透明氧化物层。
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公开(公告)号：CN112514034A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050155.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成，并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中，外周面(52a)的周向的一部分为曲线，余部为直线。
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