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公开(公告)号：CN104885004A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068057.9
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/29353 , G02B6/29355 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , G02F2201/58
Abstract: 本发明涉及光调制元件，由基板型光波导构成的光调制元件具备：光入射部，将光入射到上述基板型光波导；马赫曾德干涉仪，具有：对入射到上述光入射部的光进行分支的第1光分支部；对由上述第1光分支部分支出的光进行导波的2个臂部；在上述2个臂部分别呈直线状设置的相位调制部；以及对从上述2个臂部导波出的光进行合波的第1光合波部；光出射部，从上述基板型光波导出射由上述第1光合波部合波的光；以及行波电极，具有输入部和输出部，并对上述相位调制部施加电压，上述基板型光波导具有包括俯视时分别与上述相位调制部的长边方向的延长线交叉的2个边的轮廓，上述输入部形成在上述2个边中的一方，上述光入射部以及上述光出射部位于俯视时与形成上述行波电极的区域不同的区域。
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公开(公告)号：CN103907049A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052325.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/2935 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102483491A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN106842423A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610974465.6
申请日：2016-11-04
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/1228 , G02B6/2813 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G02B2006/1215 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02B6/122 , G02B6/12007
Abstract: 本发明提供光合波分波元件以及光调制器。该光合波分波元件与以往的光合波分波元件相比能够抑制反射光的发生。光合波分波元件(10)的纤芯(11)包括与第1纤芯(12)以及上述第2纤芯～第3纤芯(13、14)分别接合的MMI区间(15)，MMI区间(15)的脊型波导路(15b)的脊(15r)的宽度从沟道型波导路(15a)的宽度变窄至第1纤芯(12)的宽度。
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公开(公告)号：CN103907049B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280052325.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/2935 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN102483490B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200980161034.6
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/124 , G02B6/136 , G02B2006/12107
Abstract: 一种制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置包括芯线，其顶表面设置有沿芯线的纵向的槽部，所述槽部填充有由折射率低于所述芯线的折射率的低折射率材料制成的槽部填充体，所述方法包括：形成构成所述芯线的下部的由高折射率材料制成的高折射率材料层的第一高折射率材料层形成步骤；在所述高折射率材料层上形成由低折射率材料制成的低折射率材料层的低折射率材料层形成步骤；通过利用光刻和蚀刻来修剪所述低折射率材料层的两个侧面部分以形成所述槽部填充体的槽部填充体形成步骤；和形成构成所述芯线的上部的由高折射率材料制成的高折射率材料层以填充所述槽部填充体的侧面部分的两侧的第二高折射率材料层形成步骤。
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公开(公告)号：CN102483491B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
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