掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN101673048A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910170956.5

    申请日:2006-07-06

    CPC classification number: G03F1/84

    Abstract: 本发明提供一种掩模图形检查方法,该方法包括:把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上;作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料,该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形,或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成;通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种,取得上述试料表面的图像;和根据上述图像检查上述掩模图形。

    基板检查方法、半导体器件的制造方法以及基板检查装置

    公开(公告)号:CN1838396A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200610065365.8

    申请日:2006-03-23

    Inventor: 山崎裕一郎

    Abstract: 一种基板检查方法,其中包括以下步骤:生成带电粒子射束;使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象;会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束,或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束,并且,在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中,对应上述检查对象的结构而产生相位差;使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像;检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束,输出包含上述相位差的的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号;使用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差信息,检测上述检查对象的缺陷。

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