公开(公告)号：CN109967675B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201811478431.3

申请日：2018-12-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木敏孝 ,  远藤刚

IPC: B21J5/02 ,  B21J13/02 ,  B21J5/08 ,  B21K1/30

Abstract: 本发明提供一种凸面成形方法及凸面成形装置。筒状的模具具有：第一齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形；第二齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分以外的中央部的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形。凸面成形方法包括：通过模具的第一齿形模具部的内周的齿形而在原料的外周形成齿形的步骤；及使形成有齿形的原料向第二齿形模具部内移动，以使原料的中央部的直径比上下端部的直径更大地扩张的方式将原料的内周面向外侧按压，从而将原料的齿形的中央部压紧于第二齿形模具部的内周的齿形的步骤。

公开(公告)号：CN110024266B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201780072872.0

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥芳光 ,  伊藤满孝 ,  清水浩史 ,  远藤刚

IPC: H02K3/04 ,  H02K3/28 ,  H02M7/49

Abstract: 作为旋转电机的电动发电机(5)具有壳体(10)、轴(15)、转子(16)、定子(20)。定子(20)具有定子铁芯(21)以及三相的绕组。定子铁芯(21)形成有沿周向排列的多个切槽。三相的绕组卷绕于定子铁芯(21)。设与三相对应的绕组为第一绕组、第二绕组及第三绕组。第一绕组的一端设置于比将切槽在定子(20)的径向分割为两部分的第一分割线更靠定子(20)的径向外侧。第二绕组的一端设置于比第一分割线更靠定子(20)的径向内侧。第三绕组的一端至少隔着一个切槽，相对于定子(20)的径向设置于第一绕组的一端与第二绕组的一端之间。

公开(公告)号：CN1925169A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。

公开(公告)号：CN110024266A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780072872.0

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥芳光 ,  伊藤满孝 ,  清水浩史 ,  远藤刚

IPC: H02K3/04 ,  H02K3/28 ,  H02M7/49

Abstract: 作为旋转电机的电动发电机(5)具有壳体(10)、轴(15)、转子(16)、定子(20)。定子(20)具有定子铁芯(21)以及三相的绕组。定子铁芯(21)形成有沿周向排列的多个切槽。三相的绕组卷绕于定子铁芯(21)。设与三相对应的绕组为第一绕组、第二绕组及第三绕组。第一绕组的一端设置于比将切槽在定子(20)的径向分割为两部分的分割线更靠定子(20)的径向外侧。第二绕组的一端设置于比分割线更靠定子(20)的径向内侧。第三绕组的一端至少隔着一个切槽，相对于定子(20)的径向设置于第一绕组的一端与第二绕组的一端之间。

公开(公告)号：CN1925169B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610126666.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 远藤刚 ,  山本刚 ,  河合润 ,  山本建策 ,  奥野英一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。