公开(公告)号：CN105593996A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054234.2

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木巨裕 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  添野明高 ,  小西正树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体装置，具有衬底(1)、漂移层(2)、电流分散层(3)、基体区域(4)、源区(5)、沟槽(7)、栅绝缘膜(8)、栅电极(9)、源电极(12)、漏电极(14)和底层(10)。上述电流分散层形成在上述漂移层之上，并且，与上述漂移层相比第1导电型杂质浓度较高。上述底层具有第2导电型，配置在比上述基体区域靠下方，将上述沟槽的底部的角部包含在内而覆盖上述沟槽的底部，并被设置为上述电流分散层以上的深度。

公开(公告)号：CN111066152B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880055698.3

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 箕谷周平 ,  梶爱子 ,  海老原康裕 ,  永冈达司 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备：第1导电型的由碳化硅构成的第1电流分散层(13)，形成在n－型层(12)与基体区域(18)之间，与n－型层(12)相比为高杂质浓度；第2导电型的由碳化硅构成的多个第1深层(14)，形成在第1电流分散层(13)内，比第1电流分散层(13)浅并且在一个方向上延伸设置；第1导电型的由碳化硅构成的第2电流分散层(15)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，沟槽(21)的底部位于该第2电流分散层；以及第2导电型的由碳化硅构成的第2深层(17)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，与基体区域(18)相连并与第1深层(14)相连，并且从沟槽(21)离开而形成。

公开(公告)号：CN107004725B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201580068085.X

申请日：2015-10-19

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  三宅裕树 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

公开(公告)号：CN105593996B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201480054234.2

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木巨裕 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  添野明高 ,  小西正树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 碳化硅半导体装置，具有衬底(1)、漂移层(2)、电流分散层(3)、基体区域(4)、源区(5)、沟槽(7)、栅绝缘膜(8)、栅电极(9)、源电极(12)、漏电极(14)和底层(10)。上述电流分散层形成在上述漂移层之上，并且，与上述漂移层相比第1导电型杂质浓度较高。上述底层具有第2导电型，配置在比上述基体区域靠下方，将上述沟槽的底部的角部包含在内而覆盖上述沟槽的底部，并被设置为上述电流分散层以上的深度。

公开(公告)号：CN109075197A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082528.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。

公开(公告)号：CN107996003A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201680033066.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  水野祥司 ,  渡辺行彦 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN110235229B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。

公开(公告)号：CN109075197B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201680082528.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。

公开(公告)号：CN107623026B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN107615492B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680030119.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  秋叶敦也 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。