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    半导体装置
    11.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN107710409B

    公开(公告)日：2021-04-20

    申请号：CN201680038146.2

    申请日：2016-07-22

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光 ,  河野宪司

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    Abstract: 一种半导体装置，在具有第1主面(50a)及其背面的第2主面(50b)的半导体基板(50)中，一并设置有具有集电极区域(14)的IGBT单元(10)、和具有阴极区域(22)的二极管单元(20)，在漂移区域(17)中具备第1缺陷层(15a)和第2缺陷层(15b)。在漂移区域中，在将由界面(Pb)和平面(Pc)包围的区域定义为边界区域时，二极管单元形成为，使漂移区域的第1主面侧的表面之中边界区域所占的面积S、与二极管单元所占的面积SDI满足SDI>S的关系，其中，上述界面(Pb)是IGBT单元和二极管单元的与第1主面正交的界面，上述平面(Pc)是穿过作为集电极区域与阴极区域的边界的、沿着集电极区域的漂移区域的界面的边界线、并与第1主面以角度45度交叉的平面。

    半导体装置
    12.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN107710409A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：CN201680038146.2

    申请日：2016-07-22

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光 ,  河野宪司

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/221 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78

    Abstract: 一种半导体装置，在具有第1主面(50a)及其背面的第2主面(50b)的半导体基板(50)中，一并设置有具有集电极区域(14)的IGBT单元(10)、和具有阴极区域(22)的二极管单元(20)，在漂移区域(17)中具备第1缺陷层(15a)和第2缺陷层(15b)。在漂移区域中，在将由界面(Pb)和平面(Pc)包围的区域定义为边界区域时，二极管单元形成为，使漂移区域的第1主面侧的表面之中边界区域所占的面积S、与二极管单元所占的面积SDI满足SDI>S的关系，其中，上述界面(Pb)是IGBT单元和二极管单元的与第1主面正交的界面，上述平面(Pc)是穿过作为集电极区域与阴极区域的边界的、沿着集电极区域的漂移区域的界面的边界线、并与第1主面以角度45度交叉的平面。

    半导体器件
    13.
    发明授权
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102867846B

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201210230031.7

    申请日：2012-07-04

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 都筑幸夫 ,  河野宪司 ,  田边广光

    IPC: H01L29/36 ,  H01L29/739

    CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有第一导电类型半导体衬底（10）、第二导电类型沟道区（13）和第二导电类型减薄区（18）。邻近于半导体衬底（10）的衬底表面（10a）形成沟道区（13）和减薄区（18）。此外，空穴阻挡层（19）形成在每个减薄区（18）中，以将减薄区（18）划分为邻近于衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于减薄区（18）的底部的第二部分（18b）。空穴阻挡层（19）的面密度小于或等于4.0×1012cm-2，以使得耗尽层能够穿通空穴阻挡层（19），由此限制击穿特性降低。

    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备
    14.
    发明授权
    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备 有权

    公开(公告)号：CN102832216B

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：CN201210201479.6

    申请日：2012-06-15

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 都筑幸夫 ,  田边广光 ,  河野宪司

    IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 半导体设备包括IGBT形成区域和二极管形成区域。IGBT形成区域包括用作IGBT的IGBT操作区段和不用作IGBT的减薄区段。IGBT操作区段包括沟道区域（4a），并且减薄区段包括第一阳极区域（4b）。二极管形成区域包括第二阳极区域（4d）。当将面密度定义为通过对沟道区域（4a）、第一阳极区域（4b）和第二阳极区域（4d）中的每一个区域中的第二导电型杂质的浓度分布曲线在深度方向上进行积分所计算的值时，沟道区域（4a）的面密度高于第一阳极区域（4b）的面密度和所述第二阳极区域（4d）的面密度。

    半导体器件
    15.
    发明授权
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN101794778B

    公开(公告)日：2012-01-04

    申请号：CN201010104031.3

    申请日：2010-01-27

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光 ,  河野宪司 ,  都筑幸夫 ,  天野伸治

    IPC: H01L27/06

    CPC classification number: H01L29/0834 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体器件包括具有第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。主区域(11)和感测区域(13)形成于所述半导体衬底(10)的所述第一表面侧上。RC-IGBT形成于所述主区域(11)中，且用于传输与流经所述RC-IGBT的电流成比例的电流的感测元件(32)形成于所述感测区域(13)中。所述感测元件(32)的集电极区(24)和阴极区(25，27)形成于所述半导体衬底(10)的所述第二表面侧上。所述集电极区(24)在所述半导体衬底(10)的厚度方向上位于所述感测区域(13)的正下方。所述阴极区(25，27)在所述厚度方向上不是位于所述感测区域(13)的正下方。

    半导体装置
    16.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN108780808A

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：CN201680081227.0

    申请日：2016-12-01

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: 半导体装置具备：具有第1主面(10a)以及第2主面(10b)的半导体基板(10)；形成在第1主面的表层的第1区域(14)；与第1区域邻接的漂移区域(12)；比漂移区域浓度高的电荷蓄积区域(13)；以及具有从第1主面在深度方向上延伸并将第1区域及电荷蓄积区域贯通而形成的沟槽(16)、和形成在沟槽的内部的栅极电极(18)的沟槽栅极(15)。沟槽栅极具有栅极电极上被施加栅极电压的主沟槽(15a)、和栅极电极上被施加与主沟槽不同的电压的伪沟槽(15b)。主沟槽和伪沟槽将电荷蓄积区域夹入，伪沟槽与电荷蓄积区域的接触面积(S1)大于主沟槽与电荷蓄积区域的接触面积(S2)。

    半导体器件
    19.
    发明公开
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102959705A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：CN201180032538.5

    申请日：2011-06-29

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光 ,  河野宪司 ,  都筑幸夫

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0722 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 公开了一种半导体器件，其中W3≥((k2·(Dτ)1/2)2-L12)^(1/2)；W2≥L1/K1/2（其中K≥2.5）；并且W2-W1≥10μm，其中L1是漂移层（1）的厚度，D是载流子扩散系数；τ是寿命，k1是基于IGBT（100）和FWD（200）的第一参数；k2是基于阱层（13）的第二参数；并且K是通过将k1乘以骤回电压与所述阱层和所述漂移层之间的内建电势的比而得到的值。W1是从所述阱层的外围端部投影在所述漂移层的背面上的位置到阴极区域（3）与集电极区域（2）之间的边界的距离；W2是从基极区域（4）之中的IGBT与FWD之间的边界到所述阱层的外围端部的距离；并且W3是从所述阱层与所述基极区域之间的边界投影在所述背面上的位置到所述阴极区域与所述集电极区域之间的边界的距离。从而随着当阱层是阳极时来自阱层的空穴注入增大，有可能减轻FWD的耐量的恶化，同时还通过使来自与阱层内的单元区域的边界邻近的区域的空穴到达来减轻本质上起阳极作用的区域的减小。

    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备
    20.
    发明公开
    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备 有权

    公开(公告)号：CN102832216A

    公开(公告)日：2012-12-19

    申请号：CN201210201479.6

    申请日：2012-06-15

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 都筑幸夫 ,  田边广光 ,  河野宪司

    IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 半导体设备包括IGBT形成区域和二极管形成区域。IGBT形成区域包括用作IGBT的IGBT操作区段和不用作IGBT的减薄区段。IGBT操作区段包括沟道区域（4a），并且减薄区段包括第一阳极区域（4b）。二极管形成区域包括第二阳极区域（4d）。当将面密度定义为通过对沟道区域（4a）、第一阳极区域（4b）和第二阳极区域（4d）中的每一个区域中的第二导电型杂质的浓度分布曲线在深度方向上进行积分所计算的值时，沟道区域（4a）的面密度高于第一阳极区域（4b）的面密度和所述第二阳极区域（4d）的面密度。

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