-
公开(公告)号：CN117822109A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311299068.X
申请日：2023-10-08
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
Abstract: [课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板，并利用HTCVD法使碳化硅单晶层3在前述种基板生长，从而使前述种基板中包含的基底面位错在晶体生长时转变成贯通刃型位错。
-
公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN116791195A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782655.8
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
-
公开(公告)号：CN116265626A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211612081.1
申请日：2022-12-15
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。
-
公开(公告)号：CN114351253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111193447.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112626618B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
-
公开(公告)号：CN108026661B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680049110.4
申请日：2016-08-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C14/06 , C23C16/42
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN110192266A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN108026661A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680049110.4
申请日：2016-08-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C23C14/06 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/14
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.02 seconds)
