公开(公告)号：CN107209078A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN104603918B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380046296.4

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 胜间田卓 ,  与仓久则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76898 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有贯通电极构造的半导体装置的制造方法中，以架设在形成于第二半导体基板(3)的贯通孔(3a)上的方式形成掩模构件(10)，并且在掩模构件(10)中与贯通孔(3a)对应的位置形成孔(10a)，通过该孔(10a)在绝缘膜(5)形成接触孔(5a)。根据这种制造方法，即使从第二半导体基板(3)的表面一直到贯通孔(3a)的底部有大的水平差异，通过光刻进行曝光的仅是架设在贯通孔(3a)上的掩模构件(10)，无需大的水平差异的光刻。为此，能够在掩模构件(10)上良好地形成孔(10a)，并且用通过了该孔(10a)的各向异性干刻，即使是大的水平差异的蚀刻，也能够良好地形成接触孔(5a)。