公开(公告)号：CN107706236A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710506882.2

申请日：2017-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  梅本康成 ,  吉田茂 ,  柴田雅博

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/737 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/12 ,  H01L29/20 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种异质结双极型晶体管，能够维持控制稳定性同时降低基极-集电极间电容的集电极电压依存性。所述异质结双极型晶体管(HBT)具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层、基极层、以及发射极层，集电极层包括分散有多个金属原子耦合而形成的金属微粒的第一半导体层。

公开(公告)号：CN107611175A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710089447.4

申请日：2017-02-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  小屋茂树 ,  吉田茂 ,  大部功

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/158 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极-发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。