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公开(公告)号：CN105264632B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480032691.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/20 , G01K1/14 , G01N1/32 , H01J37/30 , H01J37/3002 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/08 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20271 , H01J2237/20285 , H01J2237/317
Abstract: 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
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公开(公告)号：CN104040677B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280066028.4
申请日：2012-12-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/305 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/3053 , C23C8/40 , C23C14/505 , C23C16/4586 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J2237/002 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/28 , H01J2237/3151 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明的目的在于提供利用比较简单的结构来实现试料或试料台的冷却的带电粒子线照射装置。作为达到上述目的的一方案，带电粒子线照射装置具备带电粒子源、试料台、及具有传递用于使该试料台移动的驱动力的传递机构的驱动机构，其中，该带电粒子线照射装置具有配置于真空室内且能收容离子液体(12)的容器，该容器设置于在收容有所述离子液体(12)时使所述传递机构的至少一部分浸渍于离子液体(12)中的位置。
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公开(公告)号：CN105340050A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035014.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/006 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/182 , H01J2237/1825 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明的离子铣削装置具备真空室(105)、进行该真空室内的真空排气的排气装置(101)、在上述真空室内支撑离子束所照射的试样(102)的试样台(103)、加热上述真空室内的加热装置(107)、向上述真空室内导入作为热介质的气体的气源(106)、控制该气源的控制装置(110)，该控制装置在由上述加热装置进行的加热时，以上述真空室内的压力为预定的状态的方式控制。由此，在冷却试样进行离子铣削后大气开放时，可在短时间内进行用于抑制产生的结露等的温度控制。
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公开(公告)号：CN116544088A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310581760.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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公开(公告)号：CN109478488B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201680087921.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明为了提供在使用了遮蔽板的截面加工中能够提高加工位置精度的带电粒子束装置，采用如下带电粒子束装置，其具有：离子源(101)；载置试样(107)的试样台(106)；配置为从离子源(101)观察，试样(107)的一部分露出的遮蔽板(108)；以及使试样(107)及遮蔽板(108)相对于来自离子源(101)的离子束(102)的向试样(107)的照射方向相对性地倾斜的倾斜部(123、124)。
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公开(公告)号：CN108475607A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680077768.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 提案了一种在由加工装置加工分析试料后不从试料支架取下该分析试料就能用观察装置进行观察的侧入方式试料支架。该试料支架具备：把持部(34)；从把持部(34)延伸的试料支架主体(35)；与试料支架主体(35)连接并设有用于固定试料(203)的试料台(204)的前端部(32)；以及用于变更固定于试料台(204)的试料(203)的加工面与离子束的照射方向的相对位置关系，避免在试料(203)加工过程中对前端部(32)照射离子束的机构(参照图3)。
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公开(公告)号：CN106233419B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201480078349.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/305 , G01N1/32 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/045 , H01J2237/3151
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。
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公开(公告)号：CN105047511B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510292799.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/3053 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的，提出一种离子铣削装置，其具备：离子源，其安装在真空腔内，向试料照射离子束；以及倾斜工作台，其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴，其特征在于，所述离子铣削装置具备：旋转体，其设置在所述试料工作台上，且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴；以及加工观察用开口，其设置在所述真空腔的壁面上，且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
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公开(公告)号：CN106233419A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480078349.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/305 , G01N1/32 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/045 , H01J2237/3151
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。
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