公开(公告)号：CN103052605B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180037099.7

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内藤孝 ,  青柳拓也 ,  加藤隆彦 ,  山本浩贵 ,  藤枝正 ,  宫田素之

IPC: C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01G4/008 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01G4/008 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及电极用玻璃组合物，其特征是，含有银、磷和氧，且基本上不含铅和铋。另外，该电极用玻璃组合物优选含有钒或碲，更优选含有钡、钨、钼、铁、锰和锌中一种以上的金属元素。由此，能够提供这样的电极用玻璃组合物以及使用该玻璃组合物的电极膏，在用于形成电子部件的Ag系、Al系或者Cu系等电极中，基本上不含有害的铅和铋，而且该玻璃组合物和电极膏不会使电子部件的性能降低。

公开(公告)号：CN102859761B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180017174.3

申请日：2011-03-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 桥场裕司 ,  吉村圭 ,  立薗信一 ,  内藤孝 ,  青柳拓也 ,  藤枝正

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52

CPC classification number: H01M4/364 ,  B82Y30/00 ,  C01G31/00 ,  C01G31/02 ,  C01G45/1228 ,  C01G49/009 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供正极活性物质，在锂离子二次电池中具有高循环保持率，并且增加电池容量。使用正极活性物质，其包含粉末粒子，该粉末粒子包含具有集合多个微晶(101)而形成的结构的结晶相、形成于微晶(101)彼此之间的非晶质相(103a、103b)，非晶质相(103a、103b)包含选自氧化钒、氧化铁、氧化锰、氧化镍及氧化钴构成的组中的一种以上的金属氧化物，结晶相及非晶质相(103a、103b)能进行锂离子的插入及脱离。

公开(公告)号：CN103003981A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180009509.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 藤枝正 ,  内藤孝 ,  青柳拓也

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M4/131 ,  C23C4/11 ,  C23C24/04 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供可实现低成本且高充放电容量的离子二次电池用电极、离子二次电池用电极的制造方法、锂离子二次电池及镁离子二次电池。本发明提供离子二次电池用电极(101)，其特征为，在导电体(102)的表面设置钒氧化物被膜(103)。另外，本发明提供离子二次电池用电极的制造方法，该方法制造上述的离子二次电池用电极(101)，其特征为，在导电体(102)的表面喷镀含有钒氧化物的粉末状的喷镀材料而设置钒氧化物被膜（103）。进而，提供锂离子二次电池或镁离子二次电池，其特征为，使用上述的离子二次电池用电极(101)。

公开(公告)号：CN102544467A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110434717.3

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 青柳拓也 ,  内藤孝 ,  藤枝正 ,  泽井裕一 ,  西村胜宪 ,  米元雅浩

IPC: H01M4/485 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M4/131 ,  C01G31/00 ,  C01G31/02 ,  C01G49/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/136 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/54 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/62 ,  H01M10/054 ,  H01M10/4235 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/028

Abstract: 本发明提供二次电池用正极活性物质及使用该正极活性物质的镁二次电池，具体是在镁二次电池中使充放电循环保持率提高且高容量化的镁二次电池用正极活性物质和使用该正极活性物质的镁二次电池。所述镁二次电池使用正极活性物质，所述正极活性物质包含含有晶相和形成于微晶(101)彼此之间的非晶相(103a)、(103b)的粉末粒子，所述晶相具有多个微晶(101)集合而形成的结构，所述非晶相(103a)、(103b)包含选自氧化钒、氧化铁、氧化锰、氧化镍及氧化钴中的至少一种金属氧化物，晶相及非晶相(103a)、(103b)能够嵌入或脱嵌镁离子。

公开(公告)号：CN1135541C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN98109816.9

申请日：1998-06-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本浩贵 ,  内藤孝 ,  滑川孝 ,  铃木康隆 ,  高桥研 ,  寺尾元康 ,  新谷俊通

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/252 ,  C03C3/062 ,  C03C3/078 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C03C8/00 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/248 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2535 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

Abstract: 在衬底1上形成玻璃薄膜2，且在其上面形成记录膜，保护膜，和反射膜，制成一种光信息记录介质，此玻璃薄膜可以改变光的强度或强度分布，该记录介质在反复读出和写入之后不退化。

公开(公告)号：CN1448745A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02131916.2

申请日：2002-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本田光利 ,  沢井裕一 ,  石川敬郎 ,  内藤孝

IPC: G02B6/35

CPC classification number: G02F1/3515 ,  G02B6/3512 ,  G02B6/3546

Abstract: 本发明提供一种消耗更少功率，高速响应性极好，并且具有适合于小型化和多通道切换的结构的光学开关。该光学开关将多个输入信号切换到多个输出位置，其中一具有层叠有与输入部分数量相同的非线性光学层和缓冲层的叠层结构，与输入部分和输出部分之间的光路相交。通过提供使用非线性光学薄膜的叠层结构，本发明可获得高速响应性极好，并且适用于对大量信息进行切换的小矩阵光学开关。

公开(公告)号：CN107922248B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201680050031.5

申请日：2016-07-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 青柳拓也 ,  内藤孝 ,  三宅龙也

IPC: C03C8/24 ,  B32B7/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使在被接合材料的特性及物性大不相同的情况下，也能容易接合的接合材料。为了解决上述课题，本发明的接合材料的特征在于，具备：基材、配置在基材的一面的第一层、以及配置在基材的另一面且包含热膨胀系数与构成第一层的相的不同的相的第二层；第一层和第二层的至少任一者包含软化点为600℃以下的玻璃。

公开(公告)号：CN106536437B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201580034016.7

申请日：2015-09-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内藤孝 ,  儿玉一宗 ,  青柳拓也 ,  菊池茂 ,  能川玄也 ,  森睦宏 ,  井出英一 ,  守田俊章 ,  绀野哲丰 ,  小野寺大刚 ,  三宅龙也 ,  宫内昭浩

IPC: C03C8/24 ,  C09J1/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。

公开(公告)号：CN108569908A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810314557.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  内藤孝 ,  藤枝正 ,  泽井裕一 ,  青柳拓也 ,  宫城雅德

IPC: C04B37/02 ,  C03C27/04 ,  C03C12/00 ,  C03C8/24 ,  B32B7/04 ,  B32B15/00 ,  B32B17/00 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体具备：第一基材；第二基材；和将第一基材和第二基材接合的接合材料层，第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物包含玻璃组合物，该玻璃组合物含有Ag、V和Te，且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量％以上、不到100质量％，在第一基材与金属之间的至少一部分存在氧化物，在金属中分散有氧化物，在第一基材与金属之间存在的氧化物的厚度为100nm以下。

公开(公告)号：CN105683111A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380080467.5

申请日：2013-12-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  宫城雅德 ,  青柳拓也 ,  内藤孝

IPC: C03C8/18 ,  C03C27/06

CPC classification number: C03C17/04 ,  B32B1/02 ,  B32B7/14 ,  B32B17/06 ,  B32B37/14 ,  B32B38/0008 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2419/00 ,  B32B2439/40 ,  B32B2457/00 ,  B32B2605/00 ,  C03C3/122 ,  C03C3/21 ,  C03C8/02 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  C03C8/24 ,  C03C17/003 ,  C03C17/007 ,  C03C17/008 ,  C03C27/06 ,  C03C2217/218 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/32

Abstract: 在具有内部空间的玻璃制的密封结构体中，上述密封结构体的内部空间与外部的边界的至少一部分通过密封材料来隔离，上述密封材料含有金属材料与无铅氧化物玻璃，上述无铅氧化物玻璃含有Ag、P的至少一种元素及Te、V。