-
公开(公告)号：CN118103994A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068589.1
申请日：2022-10-12
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/66 , H01L29/417
Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，在晶体氧化物薄膜的面方向上，具有由扫描型扩展电阻显微镜(SSRM)测量的扩展电阻值不同的低电阻区域A与高电阻区域B，高电阻区域B的扩展电阻值为低电阻区域A的扩展电阻值的8倍以上。
-
公开(公告)号：CN116240630A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310249208.6
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3....(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
-
公开(公告)号：CN112512974A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050314.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C01G15/00 , C04B35/01 , C30B29/22 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种化合物，由铟元素(In)、镓元素(Ga)、铝元素(Al)以及氧元素(O)形成，晶格常数为α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系。
-
公开(公告)号：CN108475702A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680075286.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、选自接触电阻降低层和还原抑制层中的1层以上的层、肖特基电极层和金属氧化物半导体层。
-
公开(公告)号：CN118871403A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027316.7
申请日：2023-03-07
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种烧结体，其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体，所述In元素及所述Al元素的原子组成比满足下述式(1)及下述式(2)：[In]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.70....(1)；[Al]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.01....(2)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112512991B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201980050258.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C01G15/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3····(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
-
公开(公告)号：CN113614276A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023273.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C30B29/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。
-
公开(公告)号：CN108369964B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201680074847.1
申请日：2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层，在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。
-
公开(公告)号：CN113195434A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980085191.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
-
公开(公告)号：CN108431963A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074791.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 一种半导体元件1，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10；以及，与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30，所述半导体元件满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层的载流子浓度(cm-3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.041 seconds)
