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公开(公告)号：CN118738137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410316931.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN118715618A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380021588.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10K50/00
Abstract: 能够实现高迁移率且可靠性高的半导体装置的半导体装置，其具备：设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层；设置在前述氧化金属层之上的氧化物半导体层；与前述氧化物半导体层对置的栅电极；和前述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。前述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属，前述2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。
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公开(公告)号：CN117790311A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311249308.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于提供可靠性及迁移率高的半导体器件。半导体器件包括：在基板之上将以铝作为主成分的第1金属氧化物膜成膜；在第1金属氧化物膜之上，在氧分压为3％以上5％以下的条件下，将无定形的氧化物半导体膜成膜；将氧化物半导体膜加工为图案状的氧化物半导体层；通过对图案状的氧化物半导体层进行第1加热处理，从而使氧化物半导体层结晶化；将经结晶化的氧化物半导体层作为掩模，对第1金属氧化物膜进行加工；在氧化物半导体层之上将栅极绝缘膜成膜；在栅极绝缘膜之上形成栅电极，其中，氧化物半导体膜的膜厚大于10nm且为30nm以下。
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公开(公告)号：CN106409917B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610509513.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/47635 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66969
Abstract: 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN105759519B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510977357.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 本发明的目的在于提供具有能够使通态电流提高的晶体管的显示装置。显示装置包括：基板；具有第1侧壁的第1绝缘层；第1侧壁的上方的氧化物半导体层；与氧化物半导体层对置的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；氧化物半导体层与基板之间的、与氧化物半导体层的第1部分连接的第1透明导电层；第1绝缘层的与基板相反一侧的、与氧化物半导体层的第2部分连接的第1电极；以及与第1透明导电层连接并与第1透明导电层同一层的第2透明导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107204362A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611203902.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有：第一电极；第一电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二电极；第二电极上的第二绝缘层；被设置在第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层，到达第一电极的第一开口部；被配置在第一开口部的内部，与第一电极以及第二电极连接的第一氧化物半导体层；与第一氧化物半导体层对置的第一栅极电极；以及第一氧化物半导体层与第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN106469757A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610570990.1
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置具有：氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置的栅电极、氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层、氧化物半导体层的下层的第1屏障层、在氧化物半导体层的上层包围氧化物半导体层的上方及侧方且在氧化物半导体层的周围与第1屏障层相接的第2屏障层、配置在氧化物半导体层和第1屏障层之间的第1氧化层、配置在氧化物半导体层和第2屏障层之间的第2氧化层。
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公开(公告)号：CN106409917A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610509513.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/47635 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L21/44
Abstract: 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN105655400A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510828720.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78642 , H01L29/78696 , H01L29/78 , H01L29/1037
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达第1电极的第1开口部，并且在第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于第1侧壁，并且与第1电极连接；栅极绝缘层，配置于氧化物半导体层上；栅电极，与配置于第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于第1绝缘层的上方，并且与氧化物半导体层连接，氧化物半导体层配置于第1侧壁与栅极绝缘层之间，栅极绝缘层配置于氧化物半导体层与栅电极之间。
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公开(公告)号：CN119605327A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055651.8
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H01L21/203 , H10D30/01
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的包含多个晶粒的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含：铟(In)；和选自由铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、钪(Sc)及镧系元素组成的组中的第1金属元素，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°时所定义的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.0°以上。通过EBSD法算出的晶界取向变化的平均值可以为40°以下。
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