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公开(公告)号：CN112259457B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN112135925B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201980031668.3
申请日：2019-04-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 山涌纯
IPC分类号： C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 本发明的成膜装置通过等离子体ALD在基片上形成规定的膜，其包括：腔室；载置台；喷淋头，其具有上部电极和与上部电极绝缘的喷淋板；与上部电极连接的第一高频电源；以及与包含于载置台的电极连接的第二高频电源。通过从第一高频电源对上部电极供给高频电功率，在上部电极与喷淋板之间形成高频电场，生成第一电容耦合等离子体，通过从第二高频电源对电极供给高频电功率，在喷淋板与电极之间形成高频电场，生成与第一电容耦合等离子体独立的第二电容耦合等离子体。
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公开(公告)号：CN112259457A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN105704904B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610082046.1
申请日：2010-10-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
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公开(公告)号：CN104630748B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410646179.8
申请日：2014-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/458
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法。该等离子体处理装置配置有连接于高频电源的主天线和相对于该主天线电绝缘的(浮置状态的)辅助天线。另外，在俯视观察主天线以及辅助天线时的各自的投影区域彼此不重合。具体而言，相对于主天线而言将辅助天线配置于旋转台的旋转方向下游侧。而且，借助流通于主天线的感应电流使辅助天线产生电磁场，并且使辅助天线谐振，从而不仅在主天线的下方侧的区域产生感应等离子体，在辅助天线的下方侧的区域也产生感应等离子体。
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公开(公告)号：CN102157325B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010589485.4
申请日：2010-10-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
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公开(公告)号：CN103866297A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310686986.8
申请日：2013-12-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。
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公开(公告)号：CN102445284A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303076.8
申请日：2011-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： G01K11/125 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/0209 , G01B11/0675
摘要： 本发明提供一种温度测量方法。该温度测量方法即使在测量对象物上形成有薄膜的情况下，也能够比以往准确地对测量对象物的温度进行测量。其包括以下工序：将来自光源的光传送到在基板上形成有薄膜的测量对象物的测量点；对由基板的表面的反射光构成的第1干涉波、由基板与薄膜之间的界面的反射光、在薄膜的背面的反射光构成的第2干涉波进行测量；计算从第1干涉波到第2干涉波的光路长度；根据第2干涉波的强度计算薄膜的膜厚；根据算出的薄膜的膜厚计算基板的光路长度与算出的光路长度之间的光路差；根据算出的光路差校正算出的从第1干涉波到第2干涉波的光路长度；利用被校正的光路长度计算测量对象物的测量点处的温度。
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公开(公告)号：CN102056396A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010525423.7
申请日：2010-10-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，在电感耦合型的等离子体处理装置中，提高方位角方向乃至径向的等离子体密度分布的均匀性或控制性。在该电感耦合型等离子体蚀刻装置中，设置在腔室(10)的顶部的电介质壁(52)上的RF天线(54)，在天线室(56)内离开电介质窗(52)配置在其上方，具有与来自高频供电部(58)的RF供电线(60)、(68)连接的一次线圈(62)，和在能够通过电磁感应与一次线圈(62)耦合、且比该一次线圈(62)更靠近电介质窗(52)的下表面(与处理空间相对的面)的位置上配置的二次线圈(64)。
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公开(公告)号：CN101275574B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810086397.5
申请日：2008-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F04D19/042 , F04D29/701 , F05D2260/607 , Y02T50/675
摘要： 本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵(18)，用于从腔室(11)排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴(36)的转子(37)；收容该转子(37)的壳体(38)；从该转子(37)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个旋转翼(39)；和从壳体(38)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个静止翼(40)，多个旋转翼(39)被分割成多个旋转翼组(41)，多个静止翼(40)被分割成多个静止翼组(42)，各旋转翼组(41)和各静止翼组(42)沿旋转轴(36)交互配置，从相对于排气流在比位于最下游侧的旋转翼组(41)的更上游侧开口的气体供给口(43)供给含氩分子的堆积物附着抑制气体。
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